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    指纹传感器封装件和包括其的智能卡
    1.
    发明公开
    指纹传感器封装件和包括其的智能卡 审中-实审

    公开(公告)号：CN115050725A

    公开(公告)日：2022-09-13

    申请号：CN202111348910.5

    申请日：2021-11-15

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 林栽贤 ,  朴泳奂 ,  李光振 ,  李东河 ,  崔铉泽

    IPC分类号： H01L23/538

    摘要： 提供了指纹传感器封装件和包括其的智能卡。所述指纹传感器封装件包括：第一基板，包括芯绝缘层、位于所述芯绝缘层上第一接合焊盘以及位于所述芯绝缘层的第二表面的边缘与所述第一接合焊盘之间的外部连接焊盘；第二基板，位于所述芯绝缘层上，所述第二基板包括在第一方向上间隔开并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的多个第一感测图案、在所述第二方向上彼此间隔开并在所述第一方向上延伸的多个第二感测图案以及第二接合焊盘；导电线，所将所述第一接合焊盘电连接到所述第二接合焊盘；控制器芯片，位于所述第二基板上；以及模制层，覆盖所述第二基板和所述第一接合焊盘并与所述外部连接焊盘间隔开。

    半导体存储器件及其操作方法
    2.
    发明公开
    半导体存储器件及其操作方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114138174A

    公开(公告)日：2022-03-04

    申请号：CN202111021516.0

    申请日：2021-09-01

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 李正浩 ,  李光振 ,  南喜铉 ,  申载昊 ,  柳永光

    IPC分类号： G06F3/06

    摘要： 公开了一种在控制器执行对存储器件的访问的方法，所述方法包括：在所述控制器，向所述存储器件发送第一命令信号、第一地址信号和第一调和信号；基于所述第一命令信号和所述第一地址信号选择存储在所述存储器件的存储单元阵列中的第一数据位；以及在所述存储器件，基于所述第一调和信号，以突发方式向所述控制器顺序地输出所述第一数据位中的至少一部分数据位。

    相变存储器系统、相变存储器设备及其刷新方法
    3.
    发明公开
    相变存储器系统、相变存储器设备及其刷新方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN112687313A

    公开(公告)日：2021-04-20

    申请号：CN202011114785.7

    申请日：2020-10-16

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 申闰盛 ,  李光振

    IPC分类号： G11C13/00

    摘要： 一种相变存储器系统，包括相变存储器设备和相变存储器控制器，该相变存储器设备包括多个存储器单元，该多个存储器单元包括以至少一个或多个码字为单位的多个存储器元件，该相变存储器控制器执行用于刷新整个相变存储器设备的芯片刷新操作，其中相变存储器设备包括设置电路、刷新控制器、感测电路和请求电路，该设置电路以期望的方式确定多个存储器单元中的一个，该刷新控制器刷新所确定的存储器单元，该感测电路感测刷新的存储器单元中包括的至少一个或多个码字的数据，而该请求电路基于感测操作的结果向主机请求芯片刷新操作。

    非易失性存储设备和相关操作方法
    6.
    发明公开
    非易失性存储设备和相关操作方法 有权

    公开(公告)号：CN101140806A

    公开(公告)日：2008-03-12

    申请号：CN200710149020.5

    申请日：2007-09-04

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 李光振 ,  郭忠根 ,  金杜应

    IPC分类号： G11C16/10

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064

    摘要： 在非易失性存储设备中，通过在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。

    存储装置及其操作方法
    8.
    发明授权
    存储装置及其操作方法 有权

    公开(公告)号：CN109841248B

    公开(公告)日：2023-09-29

    申请号：CN201811311090.0

    申请日：2018-11-06

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 罗太熙 ,  朴茂熙 ,  李光振 ,  李墉焌

    IPC分类号： G11C13/00

    摘要： 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。

    神经形态器件和存储器件
    9.
    发明公开
    神经形态器件和存储器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN112992226A

    公开(公告)日：2021-06-18

    申请号：CN202010996175.8

    申请日：2020-09-21

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 李光振

    IPC分类号： G11C11/54 ,  G11C13/00 ,  G06N3/063

    摘要： 提供一种神经形态器件和存储器件，所述神经形态器件包括：控制器，被配置为通过将二进制数据的每个位转换为三进制位来生成三进制数据；以及存储器件，被配置为存储所述三进制数据，其中，所述存储器件包括：第一存储单元阵列，所述第一存储单元阵列包括形成在下字线与位线之间的第一存储单元，其中，每个所述第一存储单元包括第一开关元件和第一电阻元件；以及第二存储单元阵列，所述第二存储单元阵列包括形成在上字线与所述位线之间的第二存储单元，其中，每个所述第二存储单元包括第二开关元件和第二电阻元件，其中，所述三进制数据的每个位由存储在所述第一存储单元中的数据位和存储在所述第二存储单元中的屏蔽位的组合来标识。