公开(公告)号：CN109904140B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811255948.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  郑德泳 ,  姜尚范 ,  朴斗焕 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

公开(公告)号：CN106898545A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710130527.X

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。

公开(公告)号：CN1811988B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610005029.4

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵栢衡 ,  金杜应 ,  郭忠根 ,  姜尚范 ,  赵佑荣 ,  吴泂录

IPC: G11C11/4197 ,  G11C11/409 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/72

Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。

公开(公告)号：CN1128465C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98108477.X

申请日：1998-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  朴昌洙 ,  李相忍

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/08 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838

Abstract: 一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法，通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应，在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层，通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应，在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外，采用一种硅源气体，在该金属原子层上形成硅原子层，从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。

公开(公告)号：CN107256716B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710454316.1

申请日：2013-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿景 ,  姜东锡 ,  金惠珍 ,  朴哲佑 ,  孙东贤 ,  李润相 ,  姜尚范 ,  吴泂录 ,  车秀镐

IPC: G11C11/16

Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。

公开(公告)号：CN103426739B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201310195386.1

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN103426739A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310195386.1

申请日：2013-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申忠桓 ,  姜尚范 ,  金大容 ,  金桢益 ,  金哲性 ,  柳制亨 ,  李相遇 ,  崔孝锡

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN101154444B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200710108745.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁有桓 ,  李光振 ,  姜尚范 ,  赵佑塋

IPC: G11C11/56 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3486 ,  G11C2013/0076

Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。

公开(公告)号：CN102468321A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110355291.2

申请日：2011-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  朴仁善 ,  白寅圭 ,  李炳讚 ,  姜尚范 ,  宋宇彬

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C7/18

CPC classification number: H01L27/1021 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。

公开(公告)号：CN1845329A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610075344.4

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴泂录 ,  姜尚范 ,  金杜应

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  H01L23/528 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C5/063 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种具有分级结构的半导体存储器件中的线布设结构和方法。在具有全局字线和局部字线、以及全局位线和局部位线的半导体存储器件中，所有的全局字线、局部字线、全局位线和局部位线分别设置在至少三层之中的导电层处；全局字线、局部字线、全局位线和局部位线中的至少两种一起平行设置在一层导电层上。构成半导体存储器件的信号线设置在分级结构中，由此可以获得有利地具有高集成度、高速度和高性能的半导体存储器件。