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公开(公告)号：CN107039263B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710064379.6
申请日：2017-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。
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公开(公告)号：CN110690096A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910495744.8
申请日：2019-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。
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公开(公告)号：CN107039263A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710064379.6
申请日：2017-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L27/11582 , H01L28/90 , H01J37/32137
Abstract: 本发明公开了一种等离子体蚀刻的方法以及包括该方法的制造半导体器件的方法。等离子体蚀刻的方法包括：将包括蚀刻对象的基板装载到腔室中的第一电极上，该腔室包括被布置为彼此面对的第一电极和第二电极；以及蚀刻该蚀刻对象。蚀刻该蚀刻对象包括将多个RF能施加到第一电极和第二电极中的一个。该多个RF能可以包括具有在从约40MHz至约300MHz的范围内的第一频率的第一RF能、具有在从约100kHz至约10MHz的范围内的第二频率的第二RF能、以及具有在从约10kHz至约5MHz的范围内的第三频率的第三RF能。
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公开(公告)号：CN116364513A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211629767.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。
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公开(公告)号：CN109216147B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810696992.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种半导体制造装置和操作半导体制造装置的方法。该半导体制造装置包括等离子体腔室、源电源以及第一偏置电源和第二偏置电源。源电源在第一时间将第一源电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二源电压施加至等离子体腔室。第一偏置电源在第一时间将第一导通电压施加至等离子体腔室并且在第二时间将第一截止电压施加至等离子体腔室。第二偏置电源在第一时间将第二截止电压施加至等离子体腔室，并且在第二时间将第二导通电压施加至等离子体腔室。等离子体腔室基于源电压、导通电压和截止电压从等离子体腔室中的气体混合物形成不同条件的等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108257843A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711457340.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32972 , H01J2237/327 , H01J2237/3347 , H01L21/67069 , H01L21/67253 , H01J37/32174 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体系统包括电极和向电极提供射频(RF)功率以在电极上产生等离子体的射频(RF)功率供应单元。RF功率被提供为脉冲，该脉冲在脉冲的脉冲导通间隔期间具有谷形部分。谷形部分由谷角度和谷宽度限定。通过控制谷角度和谷宽度，等离子体可以控制基板的蚀刻。
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公开(公告)号：CN118824830A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410475384.6
申请日：2024-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种等离子体处理装置包括被配置为容纳电极的喷头以及位于喷头上的可变阻抗控制器。可变阻抗控制器包括第一构件和第二构件，第一构件与喷头间隔开并沿喷头的圆周布置，第二构件位于第一构件上并被配置为旋转。可变阻抗控制器被配置为：随着第一构件和第二构件之间的至少一个接触点根据第二构件的旋转而改变，通过改变由第一构件和第二构件产生的阻抗来控制阻抗。
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公开(公告)号：CN110323117B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910211420.7
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。
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