公开(公告)号：CN1591673A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056683.9

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永寄 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  白寅圭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。

公开(公告)号：CN1591673B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200410056683.9

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永寄 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  白寅圭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。