公开(公告)号：CN1591673A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056683.9

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永寄 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  白寅圭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。

公开(公告)号：CN1734662B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200510081709.X

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永奇 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。

公开(公告)号：CN1591673B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200410056683.9

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永寄 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  白寅圭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。

公开(公告)号：CN101373632A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810146351.8

申请日：2008-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵晙洙 ,  堀井秀树 ,  朴美林

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。

公开(公告)号：CN101373632B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810146351.8

申请日：2008-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵晙洙 ,  堀井秀树 ,  朴美林

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 本发明提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。

公开(公告)号：CN101150138A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710154791.3

申请日：2007-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安东浩 ,  堀井秀树 ,  裵晙洙

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 相变存储器件可以包括集成电路衬底以及该集成电路衬底上的第一和第二相变存储元件。第一相变存储元件可以包括具有第一结晶温度的第一相变材料。第二相变存储元件可以包括具有第二结晶温度的第二相变材料。此外，第一和第二结晶温度可以不同，以使得可以在不同的温度下对第一和第二相变存储元件进行编程。还讨论了相关的方法和系统。

公开(公告)号：CN1734662A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510081709.X

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永奇 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。