公开(公告)号：CN1329995C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200410006714.X

申请日：2004-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣浩 ,  申镐奉

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其制造方法。EEPROM单元包括：形成在半导体衬底上的、用来限定有源区的隔离层；在有源区中顺次设置的源区、掩埋N+区和漏区。所配置的存储栅横跨掩埋N+区。第一沟道区形成在源区与掩埋N+区之间。隧道区位于掩埋N+区与存储栅之间，并自对准于掩埋N+区。这样，可以实现隧道区与掩埋N+区之间的重叠面积在整个衬底上是一致的，由此改善了EEPROM器件的编程、擦除和读取操作。

公开(公告)号：CN1521854A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410006714.X

申请日：2004-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣浩 ,  申镐奉

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其制造方法。EEPROM单元包括：形成在半导体衬底上的、用来限定有源区的隔离层；在有源区中顺次设置的源区、掩埋N+区和漏区。所配置的存储栅横跨掩埋N+区。第一沟道区形成在源区与掩埋N+区之间。隧道区位于掩埋N+区与存储栅之间，并自对准于掩埋N+区。这样，可以实现隧道区与掩埋N+区之间的重叠面积在整个衬底上是一致的，由此改善了EEPROM器件的编程、擦除和读取操作。