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公开(公告)号：CN115528295A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210729660.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M4/134 , H01M4/133 , H01M4/38 , H01M4/587
Abstract: 本发明涉及全固体二次电池、制造其的方法、和负极层。全固体二次电池包括：包括正极活性材料的正极层；包括负极集流体、第一负极活性材料层、以及在所述负极集流体和所述第一负极活性材料层之间的第二负极活性材料层的负极层；以及在所述正极层和所述负极层之间并且包括固体电解质的固体电解质层，其中所述第一负极活性材料层与所述固体电解质层相邻，具有孔，且含有能够与锂形成合金或化合物的金属或金属合金，并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料，所述第二负极活性材料包括碳负极活性材料和任选地金属或准金属负极活性材料。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN117154194A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310475386.0
申请日：2023-04-27
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M4/131 , H01M4/136
Abstract: 本发明涉及全固体二次电池和制备全固体二次电池的方法。全固体二次电池包括：包括正极活性材料的正极层；包括负极集流体和第一负极活性材料层的负极层；以及在所述正极层和所述负极层之间的固体电解质层，所述固体电解质包括固体电解质，其中所述第一负极活性材料层与所述固体电解质层相邻，所述第一负极活性材料层包括多组分金属复合物包括M1、M2、M3和X，所述多组分金属复合物中的M2M3X对M1M2M3X的原子比在约0.5‑约0.85的范围内，和M2M3X对M1离子的原子比在约1‑约5.51的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102234111B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110087212.4
申请日：2011-04-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东国大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0676 , H01L29/125 , H01L29/16 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线及其制造方法。硅纳米线包括以高密度形成在其表面上的金属纳米团簇。金属纳米团簇改善了硅纳米线的电学特性和光学特性，因此，能够有用地使用在诸如锂电池、太阳能电池、生物电池、存储器件等各种电子器件中。
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公开(公告)号：CN102234111A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110087212.4
申请日：2011-04-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东国大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0676 , H01L29/125 , H01L29/16 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线及其制造方法。硅纳米线包括以高密度形成在其表面上的金属纳米团簇。金属纳米团簇改善了硅纳米线的电学特性和光学特性，因此，能够有用地使用在诸如锂电池、太阳能电池、生物电池、存储器件等各种电子器件中。
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公开(公告)号：CN101257023B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810080578.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966
Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。
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公开(公告)号：CN118354661A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410045493.4
申请日：2024-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电容器、制备其的方法和包括其的电子器件，所述电容器包括下部电极、与所述下部电极间隔开的上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质、在所述下部电极和所述电介质之间的第一层、以及在所述电介质和所述上部电极之间的第二层，其中所述电介质包括具有金红石相的TiO2并且掺杂有镁，所述第一层包括具有比包括在所述下部电极中的材料的功函数高的功函数的材料，并且所述第二层包括电介质保护材料。
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公开(公告)号：CN101257023A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080578.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L29/4966
Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。
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