公开(公告)号：CN105762274B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201610005833.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 唐学体 ,  李将银 ,  冯艮 ,  达斯廷·威廉·埃里克森

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。

公开(公告)号：CN105762274A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610005833.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 唐学体 ,  李将银 ,  冯艮 ,  达斯廷·威廉·埃里克森

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。