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公开(公告)号：CN111200059A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911112142.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性隧道结堆叠及其制造方法。磁性隧道结堆叠包括：被钉扎层；主氧化物势垒层，位于所述被钉扎层上；自由层，位于所述主氧化物势垒层上；以及混合氧化物/金属盖层，位于所述自由层上。所述混合氧化物/金属盖层包括：第一氧化物层，位于所述自由层上；第二氧化物层，位于所述第一氧化物层上；以及金属盖层，位于所述第二氧化物层上，其中所述自由层不含硼(B)。
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公开(公告)号：CN108574041B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201711385740.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
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公开(公告)号：CN112071977A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010511468.2
申请日：2020-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了底部自由层磁隧道结(BMTJ)和制造其的方法。该BMTJ包括复合金属氧化物籽晶层和在复合金属氧化物籽晶层上的包含硼(B)的自由层。复合金属氧化物籽晶层包括第一金属层、在第一金属层上的金属氧化物层以及在金属氧化物层上的第二金属层。第二金属层已被氧处理。
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公开(公告)号：CN105244436B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510388393.2
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了一种可用于磁性器件中的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层、不对称的自由层以及垂直磁各向异性(PMA)诱导层。非磁性间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层在非磁性间隔层与PMA诱导层之间。不对称的自由层包括具有第一硼含量的第一铁磁层和具有第二硼含量的第二铁磁层。第二硼含量小于第一硼含量。第一硼含量和第二硼含量每个大于零原子百分比。该磁性结被配置为使得在写电流通过该磁性结时自由层在多个稳定的磁态之间可切换。
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公开(公告)号：CN108574041A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711385740.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 德米特罗·埃帕尔科夫 , 冯艮 , 王淑霞 , 维拉迪默·尼基廷 , 唐学体
Abstract: 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887423B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310711863.5
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , C-M.朴 , R.切普尔斯基 , A.V.科瓦尔科夫斯基 , 唐学体
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 一种提供可用在磁性装置中的磁性结的方法和系统。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层具有设计垂直磁各向异性。设计PMA包括绝缘插入层诱导PMA、应力诱导PMA、由于界面对称破坏导致的PMA以及晶格失配诱导PMA中的至少一个。磁性结被配置为使得当写电流通过磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可转换。
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公开(公告)号：CN110224061B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201910141864.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明阐述一种磁性装置、一种使用所述磁性装置的存储器及一种用于提供所述磁性装置的方法。磁性装置包括磁性结及邻近磁性结的混合顶盖层。混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层。不连续的氧化物层位于绝缘层与贵金属层之间。绝缘层位于磁性结与贵金属层之间。在一个方面，磁性结包括参考层、可能是隧道势垒层的非磁性分隔层以及自由层。
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公开(公告)号：CN105762274B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610005833.6
申请日：2016-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 唐学体 , 李将银 , 冯艮 , 达斯廷·威廉·埃里克森
Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。
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公开(公告)号：CN110224061A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910141864.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明阐述一种磁性装置、一种使用所述磁性装置的存储器及一种用于提供所述磁性装置的方法。磁性装置包括磁性结及邻近磁性结的混合顶盖层。混合顶盖层包括绝缘层、不连续的氧化物层及贵金属层。不连续的氧化物层位于绝缘层与贵金属层之间。绝缘层位于磁性结与贵金属层之间。在一个方面，磁性结包括参考层、可能是隧道势垒层的非磁性分隔层以及自由层。
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公开(公告)号：CN103490006B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310225094.8
申请日：2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 在一个实施例中，一种用于半导体器件的磁元件包括参考层、自由层、以及设置在参考层和自由层之间的非磁性隔离物层。非磁性隔离物层包括二元、三元或多元合金氧化物材料。二元、三元或多元合金氧化物材料包括具有一种或多种另外的元素的MgO，所述另外的元素选自由下述元素组成的组：Ru、Al、Ta、Tb、Cu、V、Hf、Zr、W、Ag、Au、Fe、Co、Ni、Nb、Cr、Mo和Rh。
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