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公开(公告)号：CN109461466B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810886322.9
申请日：2018-08-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 一种电阻式存储器器件包括：电压发生器，根据写入使能信号的激活生成写入字线电压；开关电路，响应于写入使能信号输出写入字线电压和读取字线电压中的一个作为输出电压；字线功率路径，连接到开关电路以接收输出电压；以及根据施加到字线功率路径的电压驱动字线的字线驱动器，其中写入命令在写入使能信号激活之后的特定延迟之后开始被接收，并且响应于所接收的写入命令在写入使能信号的激活时段内执行写入操作。
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公开(公告)号：CN109509492A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811072217.8
申请日：2018-09-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C2013/0054 , G11C11/1697
摘要： 本发明提供一种控制电阻式存储器中的参考单元以识别存储在多个存储单元中的值的方法。所述方法包含：将第一值写入至多个存储单元；向参考单元提供单调递增或单调递减的参考电流。所述方法包含：在将参考电流中的每一个提供给参考单元时读取多个存储单元，以及基于读取的结果的集合来确定读取参考电流。也提供一种包含参考单元的电阻式存储器装置。
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公开(公告)号：CN109542666B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811106617.6
申请日：2018-09-21
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开一种用于支持纠错码的装置及其测试方法。一种根据本发明构思的示例实施例的用于支持用于存储器测试的测试模式的装置可包括：存储器，被配置为接收并存储写入数据，并且从存储的写入数据输出读取数据；纠错码(ECC)引擎，被配置为通过对输入数据进行编码来生成写入数据，并且当N是正整数时，通过校正包括在接收数据中的N位或更少位的错误位来生成输出数据；错误插入电路，被配置为在正常模式下将读取数据作为接收数据提供给ECC引擎，并且在测试模式下将通过使读取数据的小于N位的至少一个位反相而获得的数据作为接收数据提供给ECC引擎。
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公开(公告)号：CN107123443B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710067659.2
申请日：2017-02-07
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种一次可编程存储器及其数据写入方法。所述一次可编程(OTP)存储器包括：OTP单元阵列，包括设置在多条字线和多条位线彼此交叉的位置处的多个OTP单元；写入电路，被配置为通过一次选择所述多条位线中的一条位线和对连接到选择的位线的选择的OTP单元进行编程来对所述多个OTP单元进行编程，其中，写入电路还被配置为检测选择的位线的电压电平，并当检测的电压电平指示选择的OTP单元处于已编程状态时选择另一位线。
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公开(公告)号：CN109390017A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810908939.6
申请日：2018-08-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C16/24
摘要： 本申请提供了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，其包括存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至存储器单元；伪字线偏置电路，其通过伪字线连接至伪单元；写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至存储器单元；以及伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至伪单元。伪字线偏置电路被构造为将相同或不同的电压施加至对应的各条伪字线，以将选择的伪单元关断，和调整流动通过伪单元的漏电流；并且通过对伪单元中的漏电流的调整而使存储器单元中的漏电流保持在基本均匀的电平。
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公开(公告)号：CN109390017B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810908939.6
申请日：2018-08-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C16/24
摘要： 本申请提供了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，其包括存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至存储器单元；伪字线偏置电路，其通过伪字线连接至伪单元；写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至存储器单元；以及伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至伪单元。伪字线偏置电路被构造为将相同或不同的电压施加至对应的各条伪字线，以将选择的伪单元关断，和调整流动通过伪单元的漏电流；并且通过对伪单元中的漏电流的调整而使存储器单元中的漏电流保持在基本均匀的电平。
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公开(公告)号：CN112289354A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010704346.5
申请日：2020-07-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 提供了磁性结存储器设备和用于将数据写入存储器设备的方法。磁性结存储器设备包括：第一存储器组，包括第一磁性结存储器单元；第一本地写入驱动器，与第一存储器组相邻，连接到全局数据线，第一本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第一磁性结存储器单元；第二存储器组，与第一存储器组相邻并且包括第二磁性结存储器单元；第二本地写入驱动器，与第二存储器组相邻，连接到全局数据线，第二本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第二磁性结存储器单元；以及全局写入驱动器，被配置为经由全局数据线分别向第一本地写入驱动器和第二本地写入驱动器提供第一写入数据和第二写入数据。
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公开(公告)号：CN110910925A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910837939.6
申请日：2019-09-05
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 可提供一种存储器装置，包括：包括第一磁电阻存储器单元的正常存储器单元阵列，第一磁电阻存储器单元连接到第一位线、第一源极线和第一字线，并被构造为通过第一字线接收选择电压；包括第二磁电阻存储器单元的监视器存储器单元阵列，第二磁电阻存储器单元连接到第一信号线和第二信号线，第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的栅极被构造为接收非选择电压；和体偏置发生器，其被构造为感测流过第一信号线的泄漏电流，并基于泄漏电流控制提供到第一磁电阻存储器单元的单元晶体管的体和第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的体中的每个的体电压。
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