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公开(公告)号：CN108028059A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053023.6
申请日：2016-03-03
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1673 , G05F1/56 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C7/12 , G11C11/1697 , G11C11/4076 , G11C11/4094 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002
摘要： 根据一个实施例，一种半导体存储器件包括第一存储体和第二存储体。所述第一存储体和所述第二存储体中的每一者包括具有可变电阻元件的存储单元、参考单元、具有与所述存储单元电耦接的第一输入端和与所述参考单元电耦接的第二输入端的读出放大器、以及电耦接所述存储单元和所述读出放大器的所述第一输入端的第一晶体管。所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极和所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极被独立地供给电压。
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公开(公告)号：CN107808680A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710022633.6
申请日：2017-01-12
申请人： 东芝存储器株式会社
发明人： 片山明
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/1695 , G11C11/1697 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002 , G11C2213/79 , G11C2213/82
摘要： 本发明涉及存储装置，具备：存储单元阵列，具有多个存储单元；生成电路，生成参考电流；读出放大器，对在存储单元流通的单元电流和参考电流进行比较，检测存储单元所存储的数据；第1钳位晶体管，连接在读出放大器的第1输入端子与存储单元之间；第2钳位晶体管，连接在读出放大器的第2输入端子与生成电路之间；第1布线层，连接于第1钳位晶体管的栅，在第1方向延伸；第2布线层，连接于第2钳位晶体管的栅，在第1方向延伸，与第1布线层相邻地配置；第1屏蔽线，与第1布线层和第2布线层之一相邻地配置，在第1方向延伸，被施加固定电压，第1布线层与第2布线层之间的第1间隔比第1布线层和第2布线层之一与第1屏蔽线之间的第2间隔窄。
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公开(公告)号：CN104821179B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510181486.8
申请日：2015-04-16
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
CPC分类号： G11C13/0038 , G11C5/147 , G11C11/1673 , G11C11/1697
摘要： 一种记忆体驱动电路于此揭露。记忆体驱动电路包含电流镜电路、第一开关单元、电容性储能单元以及第二开关单元。电流镜电路用以根据第一电流输出相应的第二电流。第一开关单元用以选择性地导通电流镜电路与记忆单元，使得第二电流驱动记忆单元。电容性储能单元用以根据参考电压储能。第二开关单元用以选择性地导通电容性储能单元与记忆单元以输出第三电流，使得第三电流驱动记忆单元。本发明透过设置电容性储能单元以及开关单元的切换控制，可简单地调整驱动电流，简化了记忆体驱动电路的设计架构。
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公开(公告)号：CN104704564B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380051532.1
申请日：2013-08-06
申请人： 康奈尔大学
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C11/18 , H01L27/228 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 基于自旋转移扭矩(STT)效应的三端子磁性电路和装置，通过使用耦接至自由磁性层的自旋霍尔效应金属层中的充电电流以及将栅电压施加至自由磁性层并通过结合自旋极化电子或带电粒子的注入，来操控用于包括非易失性存储功能、逻辑功能等各种应用的自由磁性层的磁化。充电电流经由第一电端子和第二电端子施加到自旋霍尔效应金属层，而栅电压施加在第一电端子和第二电端子中的任一个与第三电端子之间。自旋霍尔效应金属层可与自由磁性层相邻、或与自由磁性层直接接触，以允许在充电电流下通过自旋霍尔效应生成的自旋极化电流进入自由磁性层中。所公开的三端子磁性电路也可应用于信号振荡电路和其他应用。
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公开(公告)号：CN105556416A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480041884.3
申请日：2014-07-22
申请人： 西部数据技术公司
IPC分类号： G06F1/26
CPC分类号： G11C5/005 , G11C5/141 , G11C5/143 , G11C5/148 , G11C11/1697 , G11C11/2297 , G11C14/00 , G11C16/30
摘要： 公开了固态存储驱动器中用于电力损失早期警告的系统和方法。可以使用早期的电力损失警告，以在使用备份功率源(如备份电容器)内的能量之前，激励驱动器使其进入低功率状态。该低功率状态可以允许降低驱动器所使用的功率，其可以提供成本节省，并且降低如下风险：驱动器将被渲染为可由停电事件重配置。
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公开(公告)号：CN105074825A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201380073104.9
申请日：2013-03-15
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C11/1697 , G11C5/14 , G11C11/16
摘要： 实施例使用分布式电容器来向超低电压的基于非CMOS的器件提供电力(具有低电压、高电流和高电流密度)，所述分布式电容器集成在与所述非CMOS器件相同的芯片上。例如，实施例提供了自旋逻辑门，所述自旋逻辑门与电容器的电介质材料以及第一极板和第二极板相邻。所述电容器使用降压开关模式电源向所述自旋逻辑门释放低电压/高电流，所述降压开关模式电源在一个时钟周期期间对多个电容器进行充电(使用在第一定向上配置的开关元件)并且在相反时钟周期期间从所述电容器释放电力(使用在第二定向上配置的所述开关元件)。所述电容器将所述电流释放到面外并且到所述自旋逻辑器件，而不必横穿长的功率耗散互连路径。本文描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN101908369B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910175064.4
申请日：2009-09-27
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G11C5/147 , G11C7/04 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1697
摘要： 本发明涉及半导体存储装置。该半导体存储装置使用磁性隧道结器件并且包括：存储单元，连接在第一驱动线与第二驱动线之间，并存储其数据状态基于流过第一驱动线及第二驱动线的电流的方向而确定的数据；写入驱动块，在写入操作中响应于输入数据而驱动第一驱动线及第二驱动线；电压控制块，响应于温度信息而控制提供给写入驱动块的电源电压；以及温度信息生成块，生成根据温度的变化而变化的温度信息，其中，温度信息生成块包括：温度电压产生单元，产生具有响应于温度变化而变化的电压电平的第一温度电压以及具有响应于温度变化而恒定的电压电平的第二温度电压；以及温度信息输出单元，响应于第一温度电压和第二温度电压而输出温度信息。
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公开(公告)号：CN101908369A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910175064.4
申请日：2009-09-27
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G11C5/147 , G11C7/04 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1697
摘要： 本发明涉及一种半导体存储装置。所述半导体存储装置使用磁性隧道结器件(MTJ)，并且包括：存储单元，连接在第一驱动线与第二驱动线之间，并被构造成存储其数据状态基于流过所述第一驱动线及所述第二驱动线的电流的方向而确定的数据；以及电流控制块，被构造成在写入操作中响应于温度信息来控制提供给所述第一驱动线及所述第二驱动线的电源电流。
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公开(公告)号：CN101483428A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H03K19/0944 , G11C11/16
CPC分类号： H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
摘要： 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第二和第一状态。
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公开(公告)号：CN109119109A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810670364.9
申请日：2018-06-26
申请人： 三星电子株式会社
发明人： A.安东扬
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C5/145 , G11C5/147 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/1657 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , G11C16/30 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C16/16
摘要： 一种存储器器件，包括：包括存储器单元的存储器单元阵列，通过字线连接到存储器单元阵列的行解码器，通过位线和源极线连接到存储器单元阵列的列解码器，将写入电压传递到某一位线的写入驱动器，位线由列解码器在写入操作中通过使用栅极电压从位线当中选择，以及生成栅极电压的控制逻辑。栅极电压高于写入电压。
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