公开(公告)号：CN114464621A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111305601.X

申请日：2021-11-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李埈圭 ,  安志荣 ,  金铉用 ,  具滋玟 ,  安容奭 ,  严敏燮 ,  李相昊 ,  崔允荣

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 一种半导体器件，包括在衬底上的有源图案、掩埋在有源图案的上部处的栅极结构、在有源图案上的位线结构、覆盖位线结构的下侧壁的下间隔物结构、在有源图案上且与位线结构相邻的接触插塞结构、以及在接触插塞结构上的电容器。下间隔物结构包括从位线结构的下侧壁在基本平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的第一和第二下间隔物，第一下间隔物包括氧化物，并接触位线结构的下侧壁，但不接触接触插塞结构，并且第二下间隔物包括与第一下间隔物的任何材料不同的材料。

公开(公告)号：CN118119179A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311501788.X

申请日：2023-11-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宣潒珪 ,  金铉用 ,  金泫中 ,  朴准喜 ,  禹奎媛 ,  吴智媛 ,  崔允荣

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，包括元件分隔膜、由元件分隔膜限定并在第一方向上布置的有源区、以及与有源区和元件分隔膜交叉设置的沟槽；位线接触，位于沟槽内并且连接到有源区；位线结构，通过位线接触连接到基板并在不同于第一方向的第二方向上延伸跨过有源区；以及第一接触间隔物、第二接触间隔物和第三接触间隔物，在沟槽内并在位线接触周围，第一接触间隔物在沟槽内是连续的，第二接触间隔物和第三接触间隔物中的每个在沟槽内被分隔成至少两个分立的部分。

公开(公告)号：CN115513207A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210649266.3

申请日：2022-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金恩靓 ,  金铉用 ,  李相昊 ,  安容奭 ,  崔宰福

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 提供了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：器件隔离图案，在基板中并限定彼此间隔开的第一有源部分和第二有源部分，其中第一有源部分的中心邻近第二有源部分的端部；跨越第一有源部分的中心的位线；在位线和第一有源部分之间的位线接触；以及在第二有源部分的该端部上的第一存储节点焊盘。第一存储节点焊盘包括第一焊盘侧壁和第二焊盘侧壁。第一焊盘侧壁邻近位线接触。第二焊盘侧壁与第一焊盘侧壁相反。当在平面图中观看时，第二焊盘侧壁在远离位线接触的方向上是凸起的。

公开(公告)号：CN114512164A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111209532.2

申请日：2021-10-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安智英 ,  安容奭 ,  金铉用 ,  严敏燮 ,  魏胄滢 ,  李埈圭 ,  崔允荣

IPC分类号： G11C11/401 ,  G11C11/15

摘要： 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括限定在第一方向上延伸并且包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的器件隔离图案；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上并且电连接到第一源极/漏极区，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区，并且跨位线间隔件与位线间隔开；以及介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件包括覆盖位线的侧壁的第一间隔件和位于介电图案与第一间隔件之间的第二间隔件。