公开(公告)号：CN101174469A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710184823.4

申请日：2007-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炯奭 ,  韩义奎 ,  韩庚洙 ,  李真烨 ,  金厚成

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明提供一种改善闪存阵列的读干扰特性的方法。根据该方法，在具有至少一个单元串的闪存阵列中，将第一读电压电平施加到连接至串选择晶体管的栅极的串选择线和连接至接地选择晶体管的栅极的接地选择线，所述单元串中的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管串联连接。地电压被施加到从存储单元中选择的存储单元的字线。第二读电压被施加到未选择的存储单元中的、与串选择晶体管和接地选择晶体管相邻的存储单元的字线。然后，第一读电压被施加到未选择的其它存储单元。第二读电压低于第一读电压。

公开(公告)号：CN101174469B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710184823.4

申请日：2007-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炯奭 ,  韩义奎 ,  韩庚洙 ,  李真烨 ,  金厚成

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明提供一种改善闪存阵列的读干扰特性的方法。根据该方法，在具有至少一个单元串的闪存阵列中，将第一读电压电平施加到连接至串选择晶体管的栅极的串选择线和连接至接地选择晶体管的栅极的接地选择线，所述单元串中的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管串联连接。地电压被施加到从存储单元中选择的存储单元的字线。第二读电压被施加到未选择的存储单元中的、与串选择晶体管和接地选择晶体管相邻的存储单元的字线。然后，第一读电压被施加到未选择的其它存储单元。第二读电压低于第一读电压。

公开(公告)号：CN101174459A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710167207.8

申请日：2007-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金厚成 ,  韩义奎

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/3418 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/3427 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 非易失性半导体存储器被配置为监视读取干扰(例如，由于软编程)的发作并且执行保护其中数据的操作。非易失性半导体存储器具有包括正常存储器单元和标志存储器单元的存储器单元阵列。标志存储器单元被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响。存储器监视存储在标志存储器单元中的数据，以便监视正常存储器单元的数据保留特性。