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公开(公告)号:CN104051611A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410096481.0
申请日:2014-03-14
申请人: 三星电子株式会社
发明人: A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫 , M.T.克鲁恩比
CPC分类号: G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要: 本发明描述了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括双磁性结和自旋轨道相互作用(SO)有源层。每个双磁性结包括第一和第二参考层、第一和第二非磁性间隔层以及自由层。自由层是磁性的,并且在非磁性间隔层之间。非磁性间隔层在对应的参考层和自由层之间。SO有源层邻近于每个双磁性结的第一参考层。SO有源层由于电流与SO有源层和第一参考层之间的方向基本上垂直地穿过SO有源层而在第一参考层上施加SO扭矩。第一参考层具有通过至少SO扭矩可改变的磁矩。自由层利用被驱动经过双磁性结的自旋转移写入电流而可转换。
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公开(公告)号:CN104051611B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201410096481.0
申请日:2014-03-14
申请人: 三星电子株式会社
发明人: A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫 , M.T.克鲁恩比
CPC分类号: G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要: 本发明描述了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括双磁性结和自旋轨道相互作用(SO)有源层。每个双磁性结包括第一和第二参考层、第一和第二非磁性间隔层以及自由层。自由层是磁性的,并且在非磁性间隔层之间。非磁性间隔层在对应的参考层和自由层之间。SO有源层邻近于每个双磁性结的第一参考层。SO有源层由于电流与SO有源层和第一参考层之间的方向基本上垂直地穿过SO有源层而在第一参考层上施加SO扭矩。第一参考层具有通过至少SO扭矩可改变的磁矩。自由层利用被驱动经过双磁性结的自旋转移写入电流而可转换。
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