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公开(公告)号：CN102867538A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210236344.3
申请日：2012-07-09
申请人： 三星电子株式会社
发明人： D.阿帕尔科夫 , 唐学体 , M.T.克罗恩比 , V.尼基廷 , A.V.克瓦尔科夫斯基
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要： 本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。
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公开(公告)号：CN104050988B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410095613.8
申请日：2014-03-14
申请人： 三星电子株式会社
发明人： A.E.昂格 , A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫
IPC分类号： G11B5/667
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18
摘要： 公开了一种包括存储阵列片(MAT)、中间电路、全局位线和全局电路的磁存储器，提供该磁存储器和编程该磁存储器的方法。每个MAT包括位线、字线和具有(多个)磁性结、(多个)选择设备、以及邻近于所述(多个)磁性结的自旋与轨道相互作用(SO)活性层的至少一部分的磁存储器。由于穿过SO活性层的预处理电流导致SO活性层在(多个)磁性结上施加SO转矩。(多个)磁性结可使用驱动通过通过(多个)磁性结的(多个)写电流和预处理电流编程。所述位线和字线相应于磁存储器单元。中间电路控制MAT之内的读取和写操作。每个全局位线相应于MAT的一部分。全局电路选择并驱动部分全局位线以用于读取操作和写操作。
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公开(公告)号：CN104051611A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410096481.0
申请日：2014-03-14
申请人： 三星电子株式会社
发明人： A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫 , M.T.克鲁恩比
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 本发明描述了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括双磁性结和自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个双磁性结包括第一和第二参考层、第一和第二非磁性间隔层以及自由层。自由层是磁性的，并且在非磁性间隔层之间。非磁性间隔层在对应的参考层和自由层之间。SO有源层邻近于每个双磁性结的第一参考层。SO有源层由于电流与SO有源层和第一参考层之间的方向基本上垂直地穿过SO有源层而在第一参考层上施加SO扭矩。第一参考层具有通过至少SO扭矩可改变的磁矩。自由层利用被驱动经过双磁性结的自旋转移写入电流而可转换。
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公开(公告)号：CN104051611B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410096481.0
申请日：2014-03-14
申请人： 三星电子株式会社
发明人： A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫 , M.T.克鲁恩比
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 本发明描述了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括双磁性结和自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个双磁性结包括第一和第二参考层、第一和第二非磁性间隔层以及自由层。自由层是磁性的，并且在非磁性间隔层之间。非磁性间隔层在对应的参考层和自由层之间。SO有源层邻近于每个双磁性结的第一参考层。SO有源层由于电流与SO有源层和第一参考层之间的方向基本上垂直地穿过SO有源层而在第一参考层上施加SO扭矩。第一参考层具有通过至少SO扭矩可改变的磁矩。自由层利用被驱动经过双磁性结的自旋转移写入电流而可转换。
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公开(公告)号：CN102867538B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210236344.3
申请日：2012-07-09
申请人： 三星电子株式会社
发明人： D.阿帕尔科夫 , 唐学体 , M.T.克罗恩比 , V.尼基廷 , A.V.克瓦尔科夫斯基
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L43/08
摘要： 本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。
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公开(公告)号：CN104050988A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095613.8
申请日：2014-03-14
申请人： 三星电子株式会社
发明人： A.E.昂格 , A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫
IPC分类号： G11B5/667
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18
摘要： 公开了一种包括存储阵列片(MAT)、中间电路、全局位线和全局电路的磁存储器，提供该磁存储器和编程该磁存储器的方法。每个MAT包括位线、字线和具有(多个)磁性结、(多个)选择设备、以及邻近于所述(多个)磁性结的自旋与轨道相互作用(SO)活性层的至少一部分的磁存储器。由于穿过SO活性层的预处理电流导致SO活性层在(多个)磁性结上施加SO转矩。(多个)磁性结可使用驱动通过通过(多个)磁性结的(多个)写电流和预处理电流编程。所述位线和字线相应于磁存储器单元。中间电路控制MAT之内的读取和写操作。每个全局位线相应于MAT的一部分。全局电路选择并驱动部分全局位线以用于读取操作和写操作。
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