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公开(公告)号：CN110028969B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
摘要： 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号：CN106468856B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610703071.7
申请日：2016-08-22
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/027 , G02F1/1335
摘要： 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有至少两个硫醇基团的反应性化合物、具有碳‑碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含羧酸基团的聚合物和分散在所述包含羧酸基团的聚合物中的量子点，和其中所述包含羧酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团和碳‑碳双键的第一单体以及具有碳‑碳双键和疏水性部分并且不具有羧酸基团的第二单体。
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公开(公告)号：CN108102640B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201711175767.8
申请日：2017-11-22
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , C07C391/00 , C07F3/08 , B82Y20/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/16 , G02F1/13357
摘要： 公开量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的装置。所述量子点包括半导体纳米晶体颗粒和结合至所述半导体纳米晶体颗粒的表面的配体。所述配体包括第一配体和第二配体。所述第一配体包括由化学式1表示的化合物且所述第二配体包括由化学式2表示的化合物，其中M、n和A与说明书中定义的相同；和其中，R1、L1、Y1、R、k1和k2与说明书中定义的相同。化学式1MAn化学式2
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公开(公告)号：CN106468858B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201610701845.2
申请日：2016-08-22
IPC分类号： G03F7/033 , G02B5/20 , G02F1/1335 , C09K11/02 , C09K11/70
摘要： 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有碳‑碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含酸基团的聚合物和分散在所述包含酸基团的聚合物中的多个量子点，和其中所述包含酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团或膦酸基团和碳‑碳双键的第一单体以及具有碳‑碳双键和疏水性基团并且不具有羧酸基团和膦酸基团的第二单体。
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公开(公告)号：CN100508101C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410095058.5
申请日：2004-11-23
申请人： 三星SDI株式会社
发明人： 朴相铉
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J2201/30469
摘要： 提供了一种形成碳纳米管发射器的方法和使用该碳纳米管发射器的FED的制造方法。形成碳纳米管发射器的方法包括：在其上形成有多个电极的衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行构图使得光致抗蚀剂只保留在电极上方；通过利用图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模进行蚀刻，来去除碳纳米管层的暴露部分；以及去除光致抗蚀剂图案并在电极上形成碳纳米管发射器。
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公开(公告)号：CN100547713C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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公开(公告)号：CN1996127A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610121575.4
申请日：2006-08-23
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： G02F1/13357 , H01J61/00
CPC分类号： H01J63/02 , G02F1/133602 , H01J61/35 , H01J63/06
摘要： 本发明提供一种用于显示装置的照明器件、具有该照明器件的背光单元、以及具有该背光单元的液晶显示器。该照明器件包括：上基板和下基板，以预定距离彼此面对；阳极电极，形成在所述上基板的下表面上；荧光层，形成在所述阳极电极的下表面上；阴极电极，形成在所述下基板的上表面上；电子发射源，形成在所述阴极电极上；以及反射膜，设置在所述电子发射源与所述荧光层之间且分别与它们分隔开，其中所述反射膜在面对所述荧光层的表面上被构图从而漫射从所述荧光层发出的光。该照明器件通过在反射膜上形成图案使得光能够以均匀照明地被漫射或发散来改善亮度均匀性。
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公开(公告)号：CN1530997A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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公开(公告)号：CN101035398A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610153629.5
申请日：2006-09-12
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： H05B33/02
摘要： 本发明公开了一种电致发光器件。所述电致发光器件包括：第一电极和第二电极，从彼此分开预定的距离设置且彼此面对；无机发光层，形成于所述第一和第二电极之间；介电层，形成于所述第二电极的内表面上；和场发射层，形成于所述无机发光层的上表面和下表面的至少之一上且由纳米棒形成。根据本发明的电致发光器件可以具有增加的从无机发光材料发射的可见光亮度，具有增加的发光效率，因为可以通过将比较低的电压施加到电致发光器件而获得期望的可见光亮度，所以具有减小的驱动电压。
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