公开(公告)号：CN111490154A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010076710.8

申请日：2020-01-23

申请人： 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 郑在佑 ,  马赫什·G·萨曼特 ,  斯图尔特·S·P·帕金 ,  雅里·费兰特

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

摘要： 公开了一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0

公开(公告)号：CN114765245A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111564093.7

申请日：2021-12-20

申请人： 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 德米特罗·阿帕科夫 ,  伊克提亚 ,  郑在佑 ,  奇拉格·加格 ,  马赫什·萨曼特 ,  帕纳约蒂斯·夏利劳斯·菲利波 ,  雅里·费兰特

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 描述了磁性结构、包含所述磁性结构的磁性器件以及用于提供所述磁性结构的方法。所述磁性结构包括磁性层、模板结构和电阻插入层。磁性层包括赫斯勒化合物并具有超过平面外退磁能的垂直磁各向异性能。模板结构具有被构造为对赫斯勒化合物和电阻插入层中的至少一者进行模板化的晶体结构。磁性层在模板结构上。电阻插入层被构造为减小赫斯勒化合物的磁阻尼并允许对赫斯勒化合物的模板化。