公开(公告)号：CN111554807A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010078380.6

申请日：2020-02-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 郑在佑 ,  斯图尔特·S·P·帕金 ,  希拉格·加尔各 ,  马赫什·G·萨曼特 ,  帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波 ,  亚里·费兰特

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 描述了包括多层结构的器件，所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物，第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的，并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地：Al；或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层，并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru1-xEx，x在从0.45至0.55的范围内。MRAM元件可通过依次形成衬底、所述多层结构、隧道势垒和额外磁层(其磁矩可切换)而构成。

公开(公告)号：CN111490154A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010076710.8

申请日：2020-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 郑在佑 ,  马赫什·G·萨曼特 ,  斯图尔特·S·P·帕金 ,  雅里·费兰特

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3-xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0