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公开(公告)号:CN111554807A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010078380.6
申请日:2020-02-03
Inventor: 郑在佑 , 斯图尔特·S·P·帕金 , 希拉格·加尔各 , 马赫什·G·萨曼特 , 帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波 , 亚里·费兰特
Abstract: 描述了包括多层结构的器件,所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物,第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的,并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地:Al;或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层,并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru1-xEx,x在从0.45至0.55的范围内。MRAM元件可通过依次形成衬底、所述多层结构、隧道势垒和额外磁层(其磁矩可切换)而构成。
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