公开(公告)号：CN102569398B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN102569398A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN101165816B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200710096631.8

申请日：2007-04-19

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力财团

发明人： 丁柱焕 ,  李载泓 ,  申炯澈 ,  金俊秀 ,  洪承范

IPC分类号： G12B21/02 ,  G11B9/14 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01Q60/30

摘要： 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。

公开(公告)号：CN1811944A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510134516.6

申请日：2005-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 丁柱焕 ,  申炯澈 ,  高亨守 ,  洪承范

IPC分类号： G11B9/14 ,  G12B21/02

CPC分类号： G01Q70/16 ,  G01Q70/14 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/1409

摘要： 本发明提供了一种具有电阻性尖端的半导体探针和制造该半导体探针的方法。掺杂有第一杂质的电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，第二杂质与第一杂质的极性相反；第一半导体电极区域和第二半导体电极区域，形成在电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有第二杂质。半导体探针包括：电阻性尖端；悬臂，电阻性尖端位于悬臂的端部上；介电层，位于悬臂上并覆盖电阻性区域；金属屏蔽，位于介电层上并具有形成在与电阻性区域对应的位置处的开口。因此，提高了半导体探针的空间分辨率。

公开(公告)号：CN1811944B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200510134516.6

申请日：2005-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 丁柱焕 ,  申炯澈 ,  高亨守 ,  洪承范

IPC分类号： G11B9/14 ,  G12B21/02

CPC分类号： G01Q70/16 ,  G01Q70/14 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/1409

摘要： 本发明提供了一种具有电阻性尖端的半导体探针和制造该半导体探针的方法。掺杂有第一杂质的电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，第二杂质与第一杂质的极性相反；第一半导体电极区域和第二半导体电极区域，形成在电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有第二杂质。半导体探针包括：电阻性尖端；悬臂，电阻性尖端位于悬臂的端部上；介电层，位于悬臂上并覆盖电阻性区域；金属屏蔽，位于介电层上并具有形成在与电阻性区域对应的位置处的开口。因此，提高了半导体探针的空间分辨率。

公开(公告)号：CN101165816A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710096631.8

申请日：2007-04-19

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力财团

发明人： 丁柱焕 ,  李载泓 ,  申炯澈 ,  金俊秀 ,  洪承范

IPC分类号： G12B21/02 ,  G11B9/14 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01Q60/30

摘要： 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。

公开(公告)号：CN101169981B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200610142809.3

申请日：2006-10-26

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔国立大学校产学协力财团

发明人： 丁柱焕 ,  金俊秀 ,  申炯澈 ,  洪承范

IPC分类号： G12B21/02 ,  G11B9/00

摘要： 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。

公开(公告)号：CN101169981A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200610142809.3

申请日：2006-10-26

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔国立大学校产学协力财团

发明人： 丁柱焕 ,  金俊秀 ,  申炯澈 ,  洪承范

IPC分类号： G12B21/02 ,  G11B9/00

摘要： 本发明公开了一种半导体探针及其制造方法。所述半导体探针包括：用第一杂质掺杂的悬臂；从所述悬臂的一端突出且用第二杂质轻掺杂的电阻尖端；形成于所述电阻尖端的突出部分的两侧上的掺杂控制层；和形成于所述掺杂控制层下且用所述第二杂质重掺杂而形成的第一和第二电极区。