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公开(公告)号:CN103102153A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201210399269.2
申请日:2012-10-19
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , H01G4/12
CPC分类号: H01C17/06533 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01C7/003 , H01C7/025 , H01C7/045 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T428/2982
摘要: 本发明提供了一种电介质组合物,该电介质组合物包括:含有BamTiO3(0.995≤m≤1.010)的基础粉末;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.05-4.00摩尔的至少含有一种稀土元素的氧化物或碳酸盐的第一副组分;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.05-0.70摩尔的至少含有一种过渡金属的氧化物或碳酸盐的第二副组分;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.20-2.00摩尔的Si氧化物的第三副组分;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.20-1.00摩尔的Al氧化物的第四副组分;以及以第三副组分为基准,含有20-140%的至少含有Ba和Ca中的一种的氧化物的第五副组分。含有本发明电介质组合物的介电层与现有技术公知的介电层具有相同的电容,却没有降低该介电层的厚度,从而确保了该介电层的可靠性。
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公开(公告)号:CN113257571A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110134970.0
申请日:2021-01-29
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 本公开提供一种陶瓷电子组件和制造陶瓷电子组件的方法,所述陶瓷电子组件包括主体,所述主体包括介电层和内电极。所述介电层包括多个介电晶粒,并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核‑双壳结构,所述核‑双壳结构具有核和双壳。所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳。所述双壳包含不同类型的稀土元素R1和R2,并且R2S1/R1S1为0.01或更小,R2S2/R1S1为0.5至3.0,其中,R1S1表示包含在所述第一壳中的R1的浓度,并且R2S1和R2S2分别表示包含在所述第一壳中的R2的浓度和包含在所述第二壳中的R2的浓度。
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公开(公告)号:CN104072126A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201310626974.6
申请日:2013-11-28
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
CPC分类号: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/658 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/06 , H01G4/1227
摘要: 本发明公开一种电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物包括由(Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(在此,0.995≤m≤1.010,0.001
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公开(公告)号:CN114628149A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202111483595.7
申请日:2021-12-07
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 本公开提供一种多层电容器和其上安装有该多层电容器的安装板。所述多层电容器包括:主体,具有交替设置的多个介电层以及第一内电极和第二内电极,且所述介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间,并且所述主体还包括所述第一内电极和所述第二内电极彼此叠置的有效区域以及分别设置在所述有效区域之上和之下的上盖和下盖;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述上盖和所述下盖包括钛酸钡(BT,BaTiO3)和氧化钇稳定氧化锆(YSZ)。
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公开(公告)号:CN104045339A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310218310.6
申请日:2013-06-04
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , H01G4/12
CPC分类号: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/6265 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/3817 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/79 , H01G4/30
摘要: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及含有该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器,该组合物含有:基材粉末BamTiO3(0.995≤m≤1.010);以100mol基材粉末为基准的0.2-2.0mol的含Ba和Ca中的至少一种的氧化物或碳化物的第一附加成分;为含硅的氧化物或含硅的玻璃复合物的第二附加成分;以100mol基材粉末为基准的0.2-1.5mol的含Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的氧化物的第三附加成分;以100mol基材粉末为基准的0.05-0.80mol的为含Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种的氧化物的第四附加成分;第一附加成分和第二附加成分的含量比为0.5-1.7。根据本发明的所述介电陶瓷组合物具有高介电常数和优良的高温可靠性。
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公开(公告)号:CN102531591A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110350166.2
申请日:2011-11-08
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号: C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/30
摘要: 本发明公开了具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法。该介电组合物包括:作为主要组分的由通式(Ba1-xCax)m(Ti1-yZry)O3(0.995≤m≤1.010,0.001≤x≤0.10,0.001≤y≤0.20)表示的化合物;作为第一次要组分的铝氧化物;作为第二次要组分的选自由Mg、Sr、Ba、Ca、和Zr组成的组中的至少一种金属及其盐;作为第三次要组分的选自由Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组中的至少一种金属及其盐;作为第四次要组分的选自由Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、和Ni组成的组中的至少一种金属及其盐;以及选自含有Si的玻璃形成化合物的第五次要组分。该介电组合物满足在EIA规范中定义的Y5V或X5R特性。
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公开(公告)号:CN107082636A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201710022461.2
申请日:2013-06-04
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/6265 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/3817 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/79 , H01G4/30 , H01G4/1218
摘要: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及含有该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器,该组合物含有:基材粉末BamTiO3(0.995≤m≤0.998);以100mol所述基材粉末为基准,0.2‑2.0mol的第一附加成分,该第一附加成分含有氧化Ba或碳化Ba,和氧化Ca或碳化Ca,不含有Mg或MgO;含硅的氧化物或含硅的玻璃复合物的第二附加成分;0.2‑1.5mol的含Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的氧化物的第三附加成分;0.05‑0.80mol的为含Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种的氧化物的第四附加成分;第一附加成分和第二附加成分的含量比为0.5‑1.7。根据本发明的所述介电陶瓷组合物具有高介电常数和优良的高温可靠性。
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公开(公告)号:CN103102153B
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201210399269.2
申请日:2012-10-19
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , H01G4/12
CPC分类号: H01C17/06533 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01C7/003 , H01C7/025 , H01C7/045 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T428/2982
摘要: 本发明提供了一种电介质组合物,该电介质组合物包括:含有BamTiO3(0.995≤m≤1.010)的基础粉末;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.05-4.00摩尔的至少含有一种稀土元素的氧化物或碳酸盐的第一副组分;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.05-0.70摩尔的至少含有一种过渡金属的氧化物或碳酸盐的第二副组分;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.20-2.00摩尔的Si氧化物的第三副组分;以100摩尔的基础粉末为基准,含有0.20-1.00摩尔的Al氧化物的第四副组分;以及以第三副组分为基准,含有20-140%的至少含有Ba和Ca中的一种的氧化物的第五副组分。含有本发明电介质组合物的介电层与现有技术公知的介电层具有相同的电容,却没有降低该介电层的厚度,从而确保了该介电层的可靠性。
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公开(公告)号:CN103964840A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201310173187.0
申请日:2013-05-10
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号: C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/1245
摘要: 本发明提供了一种介电组合物以及应用该介电组合物的多层陶瓷电子元件,所述介电组合物含有介电粒子,该介电粒子具有以ABO3表示的钙钛矿结构,其中所述介电粒子含有基材和过渡元素TR,所述基材中至少一种稀土元素RE被固体溶解在A和B中的至少一种中,并且所述过渡元素与所述稀土元素的比率(TR/RE)为0.2-0.8。使用该介电组合物的多层陶瓷电容器可以有优良的可靠性和安全性高的介电常数。
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公开(公告)号:CN103708823A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310013131.9
申请日:2013-01-14
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/465 , C04B35/48 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号: H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1245
摘要: 本发明提供了一种介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件,所述介电组合物包括:具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒,一部分所述介电颗粒具有芯-壳结构,其中芯的平均长度等于或小于250nm且芯的平均长度与介电颗粒的平均长度的比低于0.8的介电颗粒占具有芯-壳结构的那部分介电颗粒的50%或更多,使得使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件可具有出色的可靠性并保证高介电常数。
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