-
公开(公告)号:CN105702401A
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201610155459.8
申请日:2016-03-18
申请人: 周荣
CPC分类号: H01C17/06 , B82Y30/00 , H01C7/108 , H01C17/06533
摘要: 本发明涉及一种钇铝纳米粉体激光涂覆压敏电阻膜的制备方法,属于压敏电阻膜制备技术领域。本发明针对目前制备的压敏电阻膜机械强度低、通流容量的少,膜层、内电极和三氧化铝基片间存在相互渗透扩散现象的问题,通过将氧化钇与硝酸铝共沉淀制备纳米钇铝粉体,通过钇铝粉体较好的高温抗蠕变性能和线膨胀系数,对氧化锌压敏电阻进行有效的改性,使其有效改善膜层、内电极和三氧化铝基片间存在相互渗透扩散现象,有效提高电阻通流容量。本发明制备的钇铝纳米粉体激光涂覆压敏电阻膜电阻通流容量显著提高,其电位梯度可达3500V/mm,较其他产品电位梯度提高了25~30%,且制备过程简单,绿色环保,对环境无污染。
-
公开(公告)号:CN103964839B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201310034876.3
申请日:2013-01-30
申请人: 比亚迪股份有限公司
IPC分类号: C04B35/468 , C04B35/622
CPC分类号: H01C7/023 , C01G23/006 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62685 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B35/64 , C04B35/653 , C04B2235/32 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/449 , C04B2235/5427 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/785 , H01C7/008 , H01C7/025 , H01C17/06533
摘要: 本发明提供了一种正温度系数热敏电阻材料及其制备方法,该正温度系数热敏电阻材料为混合物混炼而得到的产物,所述混合物包括BaTiO3、B2O3、SiO2、Li2O、P2O5、Cs2O、Nd2O3、Al2O3及TiO2,制备的产品的居里温度高,耐压高,而且热敏电阻的室温电阻显著降低,升阻比高,同时制备的材料的晶粒和晶界电阻小,工艺简单易实现,烧结条件要求低,烧结条件优,易控制,也降低了成本,提高了良品率和产品一致性,制备的PTC热敏电阻的性能更完美。本发明制得的PTC热敏电阻材料,特别能稳定有效的应用于高压加热器环境。
-
公开(公告)号:CN104700969A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201510058120.1
申请日:2008-07-31
申请人: 三菱综合材料株式会社
IPC分类号: H01C7/04
CPC分类号: H01C7/008 , C04B35/016 , C04B35/42 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3267 , C04B2235/80 , H01C7/043 , H01C17/06533
摘要: 本发明公开了一种热敏电阻用金属氧化物烧结体,含有通式La(Cr1-xMnx)O3(x=0.0~0.6)所示的复合氧化物。此外,热敏电阻元件(3)包括热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)和一对导线(1),每条导线的一端固定在热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)上。
-
公开(公告)号:CN102255143B
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201110105049.X
申请日:2006-06-30
申请人: L.皮尔·德罗什蒙
发明人: L.皮尔·德罗什蒙
CPC分类号: H01Q9/0414 , B82Y30/00 , C04B2235/768 , C04B2235/781 , H01C7/003 , H01C17/003 , H01C17/06533 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01L23/49822 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01057 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q15/0086 , H05K1/0298 , H05K1/092 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/167 , H05K3/207 , H05K2201/017 , H05K2201/0175 , H05K2201/09763 , H05K2203/016 , H05K2203/0338 , H05K2203/121 , Y10T428/12493
摘要: 一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264),其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物,其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol%。一种制造电子元件的方法,提供以下步骤:在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触,包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积,以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。
-
公开(公告)号:CN102300829B
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN200980155791.2
申请日:2009-07-17
申请人: 三菱综合材料株式会社
CPC分类号: H01C7/008 , C01G25/02 , C01G45/1264 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2006/32 , C04B35/016 , C04B35/42 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/63416 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3246 , C04B2235/3263 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/6021 , C04B2235/662 , C04B2235/768 , H01C17/06533
摘要: 本发明公开了热敏电阻用金属氧化物烧结体,其包括以下通式表示的复合氧化物:La1-yAy(Cr1-xMnx)O3(前提是A表示Ca或Sr中至少一种,且x和y满足0.0≤x≤1.0和0.0<y≤0.7)。本发明还公开了热敏电阻元件(3),其包括热敏电阻用金属氧化物烧结体(2);和各自具有一端固定于热敏电阻用金属氧化物烧结体(2)的至少一对导线(1)。
-
公开(公告)号:CN102007074B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200980113625.6
申请日:2009-04-16
申请人: 纳幕尔杜邦公司
CPC分类号: C01G55/001 , C01G55/00 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C03C8/14 , C04B41/009 , C04B41/5022 , C04B41/52 , C04B41/86 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , H01B1/22 , H01C7/003 , H01C17/06533 , C04B35/10 , C04B41/4539 , C04B41/4572 , C04B41/5027 , C04B41/5116
摘要: 本发明公开了在电子器件应用中用作厚膜电阻器浆料的无铅组合物。所述组合物包含粒径介于0.5和5微米之间的Li2RuO3颗粒和无铅玻璃料。所述颗粒所具有的主要位于所述颗粒表面上或表面附近的锂至少部分地被其他金属原子交换。
-
公开(公告)号:CN102138188B
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN200980133978.2
申请日:2009-08-27
申请人: 佩拉泰克有限公司
发明人: 大卫·吕塞 , 大卫·布鲁尔 , 保罗·乔纳森·劳克林 , 亚当·格雷厄姆 , 西里尔·伊尔桑
IPC分类号: H01C10/10 , H01C17/065
CPC分类号: H01C17/06533 , H01C10/106 , Y10T428/25 , Y10T428/256
摘要: 公开了一种电响应复合材料,以及电响应复合材料的制造方法;一种具有底层以支持可流动液态聚合物的传感器以及传感器的制造方法。所生产的电响应复合材料可用于制造传感器。该方法包括步骤:接收可流动液态聚合物;引入针状电导体粒子(1501,1502),使得通过量子隧道效应进行电流传导。加入尺寸与所述针状电导体粒子相关的电介质粒子(1505,1506),使得多个所述电介质粒子被分散于毗邻的针状电导体粒子间。
-
公开(公告)号:CN101765569B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200880100195.X
申请日:2008-08-06
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 三浦忠将
CPC分类号: H01C7/043 , C04B35/016 , C04B35/63488 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3263 , C04B2235/6025 , C04B2235/79 , H01C7/008 , H01C17/06533
摘要: 本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷材料及NTC热敏电阻,其无需依赖2种以上材料组合,只须采用1种半导体陶瓷材料,即可提供电阻温度特性的直线性优良的NTC热敏电阻。作为构成NTC热敏电阻(1)所具备的陶瓷基体(20)的具有负的电阻温度特性的半导体陶瓷材料,是使用(La1-αBaα)xMnyOz(其中,z是由x和y的值所决定的、满足作为陶瓷的电中性条件的数值)表示的氧化物构成的陶瓷材料。上述式中,当x=1且y=0.8~1.5时,为0.60≤α≤0.75,当x=1且y=1.7~2.3时,为0.50≤α≤0.63。
-
公开(公告)号:CN102255143A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201110105049.X
申请日:2006-06-30
申请人: L.皮尔·德罗什蒙
发明人: L.皮尔·德罗什蒙
CPC分类号: H01Q9/0414 , B82Y30/00 , C04B2235/768 , C04B2235/781 , H01C7/003 , H01C17/003 , H01C17/06533 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01L23/49822 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01057 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q15/0086 , H05K1/0298 , H05K1/092 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/167 , H05K3/207 , H05K2201/017 , H05K2201/0175 , H05K2201/09763 , H05K2203/016 , H05K2203/0338 , H05K2203/121 , Y10T428/12493
摘要: 一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264),其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物,其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol%。一种制造电子元件的方法,提供以下步骤:在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触,包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积,以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。
-
公开(公告)号:CN101959829A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN200980107173.0
申请日:2009-03-12
申请人: 日立金属株式会社
CPC分类号: H01C7/025 , C04B35/46 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , H01C17/06533
摘要: 为了提高BaTiO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3材料的跳跃特性。提供一种用于制造其中一部分Ba用Bi-Na代替的半导体陶瓷组成物的工艺,该工艺包括:制备(BaQ)TiO3煅烧粉末的步骤(其中Q是半导体掺杂剂),制备(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤,混合(BaQ)TiO3煅烧粉末和(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤,模制和烧结该混合的煅烧粉末的步骤,以及在600℃或更低的温度下热处理该获得的烧结体的步骤;并且采用通过以上步骤制备的元件的PCT加热器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-