陶瓷电子组件
    1.
    发明公开
    陶瓷电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN116525293A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202210863437.2

    申请日:2022-07-21

    发明人: 郑汉胜 安佳英

    IPC分类号: H01G4/005 H01G4/12 H01G4/30

    摘要: 本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上并且连接到所述内电极,其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述介电层的每单位厚度的介电晶粒的数量大于等于6,并且td小于等于2.0μm,td是所述介电层的平均厚度,所述单位厚度为1μm。

    多层电子组件
    2.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118571649A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410072966.X

    申请日:2024-01-18

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/12

    摘要: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极在第一方向上与所述介电层交替设置;以及外电极,设置在所述主体的外部并且连接到所述内电极。所述介电层包括在所述第一方向上堆叠的第一层和第二层,并且所述第一层和所述第二层中的每个包括Ba、Ti和Si。当包括在所述第一层中的Si与Ti的摩尔比被称为S1并且包括在所述第二层中的Si与Ti的摩尔比被称为S2时,满足1.5≤S2/S1≤3.0。

    陶瓷电子组件
    7.
    发明公开
    陶瓷电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN116525296A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202210784801.6

    申请日:2022-06-29

    发明人: 郑汉胜 安佳英

    IPC分类号: H01G4/12 H01G4/30

    摘要: 本公开提供了一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上并且连接到所述内电极,其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述介电层的每单位厚度(1μm)的介电晶粒的平均数量为8或更大,并且td为0.5μm或更小,td是所述介电层中的至少一个介电层的平均厚度。

    电子组件及制造电子组件的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114512340A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202111300746.0

    申请日:2021-11-04

    IPC分类号: H01G4/12 H01G4/30

    摘要: 本公开提供一种电子组件及制造电子组件的方法。所述电子组件包括:多个介电层;以及多个第一内电极和多个第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极交替地设置,且对应的介电层介于所述第一内电极与所述第二内电极之间。所述多个第一内电极中的一个第一内电极包括:金属层,包含Ni和Sn;第一石墨烯层,设置在所述金属层的下表面上;以及第二石墨烯层,设置在所述金属层的上表面上。