-
公开(公告)号：CN101442096A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810184082.4
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n－型GaN基半导体层、有源层、以及p－型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p－电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n－型GaN基半导体层上形成n－电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
-
公开(公告)号：CN101051662B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710004902.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。
-
公开(公告)号：CN112992444A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010781473.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种电阻器组件，所述电阻器组件，包括：绝缘基板，具有一个表面和另一表面以及一个端表面和另一端表面；狭槽部，设置在所述一个端表面和所述另一端表面上，并且延伸到所述一个表面和所述另一表面；电阻器层，设置在所述一个表面上；以及第一端子和第二端子，连接到所述电阻器层。所述第一端子和所述第二端子中的每个包括：内电极层，包括设置在所述一个表面上的上电极、设置在所述另一表面上的下电极以及设置在所述狭槽部的内壁上的狭槽电极；以及外电极层，设置在所述一个端表面、所述另一端表面和所述狭槽部的所述内壁上，与所述狭槽电极接触，并且具有比所述内电极层的厚度小的厚度。
-
公开(公告)号：CN100536184C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710097453.0
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n-型GaN基半导体层、有源层、以及p-型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p-电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n-型GaN基半导体层上形成n-电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
-
公开(公告)号：CN101174664A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710165915.8
申请日：2007-11-02
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101075656A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710097452.6
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化物基半导体LED，包括：衬底；n－型氮化物半导体层，形成在衬底上；活性层，形成在n－型氮化物半导体层的预定区域上；p－型氮化物半导体层，形成在活性层上；p－电极，形成在p－型氮化物半导体层上，该p－电极具有p－型分支电极；p－型ESD衬垫，形成在p－型分支电极的端部处，该p－型ESD衬垫具有大于p－型分支电极的端部的宽度；n－电极，形成在其上未形成活性层的n－型氮化物半导体层上，该n－电极具有n－型分支电极；以及n－型ESD衬垫，形成在n－型分支电极的端部处，该n－型ESD衬垫具有大于n－型分支电极的端部的宽度。
-
-
公开(公告)号：CN101132040A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710097453.0
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种垂直的GaN基LED的制造方法，其包括：形成发光结构，其中在衬底上依次层叠n－型GaN基半导体层、有源层、以及p－型GaN基半导体层；蚀刻所述发光结构，从而将所述发光结构分割成LED单元；在各个所述分割的发光结构上形成p－电极；在所述分割的发光结构之间填充非导电材料；在所获得的结构上形成金属种子层；在不包括发光结构之间的区域的所述金属种子层上形成第一镀层；在所述第一镀层之间的所述金属种子层上形成第二镀层；将所述衬底与所述发光结构分离；去除通过分离所述衬底而被暴露的所述发光结构之间的所述非导电材料；在所述n－型GaN基半导体层上形成n－电极；以及去除在所述发光结构之间的所述金属种子层和所述第二镀层的一部分。
-
公开(公告)号：CN100530728C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710165915.8
申请日：2007-11-02
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。
-
公开(公告)号：CN101051662A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710004902.2
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
