氮化物半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100530728C

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200710165915.8

    申请日:2007-11-02

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置,该方法包括:通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构;根据最终发光装置的尺寸分离发光结构;在发光结构上形成导电衬底;抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度;通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构;选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分;以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。

    氮化物半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101174664A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710165915.8

    申请日:2007-11-02

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置,该方法包括:通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构;根据最终发光装置的尺寸分离发光结构;在发光结构上形成导电衬底;抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度;通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构;选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分;以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。