公开(公告)号：CN101174664A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710165915.8

申请日：2007-11-02

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金兑俊 ,  李守烈 ,  金东佑 ,  朴炫柱 ,  申贤秀 ,  片仁俊

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。

公开(公告)号：CN1953225A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610150604.X

申请日：2006-10-17

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 李赫民 ,  片仁俊 ,  朴炫柱 ,  金显炅 ,  金东俊 ,  申贤秀

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

摘要： 一种基于氮化物的半导体LED包括：衬底；在衬底上形成的n型氮化物半导体层；在n型氮化物半导体层的预定区域上形成的有源层；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；在p型氮化物半导体层上形成的电流扩散层；在电流扩散层上形成的p电极，该p电极具有两个p型分支电极；以及在其上没有形成有源层的n型氮化物半导体层上形成的n电极，该n电极具有一个n型分支电极。n型分支电极形成为插入在两个p型分支电极之间，并且从接近n电极的透明电极的最外侧到p电极的距离在任何位置处都相等。

公开(公告)号：CN100530728C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710165915.8

申请日：2007-11-02

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金兑俊 ,  李守烈 ,  金东佑 ,  朴炫柱 ,  申贤秀 ,  片仁俊

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。