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公开(公告)号：CN100382348C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610002963.0
申请日：2006-01-26
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/3095 , H01S5/3412 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa(1-x-y)N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。
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公开(公告)号：CN1945865A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610140022.3
申请日：2006-10-08
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物的半导体LED，其包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在透明电极上，该p电极焊盘与p型氮化物半导体层的外缘线隔开50至200μm；以及n电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN1953225A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610150604.X
申请日：2006-10-17
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 一种基于氮化物的半导体LED包括：衬底；在衬底上形成的n型氮化物半导体层；在n型氮化物半导体层的预定区域上形成的有源层；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；在p型氮化物半导体层上形成的电流扩散层；在电流扩散层上形成的p电极，该p电极具有两个p型分支电极；以及在其上没有形成有源层的n型氮化物半导体层上形成的n电极，该n电极具有一个n型分支电极。n型分支电极形成为插入在两个p型分支电极之间，并且从接近n电极的透明电极的最外侧到p电极的距离在任何位置处都相等。
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公开(公告)号：CN1945865B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610140022.3
申请日：2006-10-08
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物的半导体LED，其包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在透明电极上，该p电极焊盘与p型氮化物半导体层的外缘线隔开50至200μm；以及n电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN1845347A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610002963.0
申请日：2006-01-26
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/3095 , H01S5/3412 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa(1－x－y)N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。
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