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公开(公告)号：CN101888059B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010179947.5
申请日：2010-05-10
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/32341 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。
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公开(公告)号：CN101888059A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010179947.5
申请日：2010-05-10
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/16 , H01S5/2004 , H01S5/32341 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。
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公开(公告)号：CN101340059A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810132604.6
申请日：2008-07-07
申请人： JDS尤尼弗思公司
发明人： 杨国文
CPC分类号： H01S5/34313 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/3213 , H01S2301/18
摘要： 本发明涉及一种减小大功率半导体激光器的垂直发散的方法，该方法产生的阈值电流和转换效率损失可以忽略。小的发散可通过增加不对称激光二极管堆叠结构中的n－包层的厚度获得，其值的范围在10％级别处所测量的激光模式尺寸的1－4倍。该发散可通过调节光模尾部区域的n－包层参数来调整，该尾部区域所测得的光学功率密度为所述光模的最大光学功率密度的0.03％或更小。
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公开(公告)号：CN1845347A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610002963.0
申请日：2006-01-26
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2004 , H01S5/3095 , H01S5/3412 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa(1－x－y)N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。
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公开(公告)号：CN1224146C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02147339.0
申请日：2002-10-18
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 奥贯雄一郎
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1028 , H01S5/12 , H01S5/2004
摘要： 本发明旨在提供能够抑制因制造偏差引起的光耦合系数的变动的、使制造合格率得以提高的分布反馈型激光装置，其中设有：位于InP衬底(1)上激活层(4)两侧的包覆层，以及位于任一包覆层中的、与包覆层折射率不同的、带有在光出射方向以预定间距在与该出射方向相交的方向上延伸的栈状格子的衍射光栅(6)；还至少设有一层光分布调整层(2)，该层位于与所述衍射光栅相分离的包覆层内，其成分与所述衍射光栅的相同。
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公开(公告)号：CN1193470C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN00810470.0
申请日：2000-07-14
申请人： 安捷伦科技有限公司
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3215 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/173
摘要： 一种包括缓冲层和位于缓冲层之上的复合层的氮化物半导体分层结构。该缓冲层是一个包括AlN的低温沉积的氮化物半导体材料层。该复合层是一个包括AlN的单晶氮化物半导体材料层。该复合层包括临近缓冲层的第一亚层和位于该第一亚层之上第二亚层。该复合层的单晶氮化物半导体材料在第一亚层中具有第一AlN摩尔分数以及在第二亚层中具有第二AlN摩尔分数。第二AlN摩尔分数大于第一AlN摩尔分数。氮化物半导体激光器包括上述的氮化物半导体分层结构的一部分，并且还包括位于该复合层之上的光波导层和位于该光波导层之上的有源层。
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公开(公告)号：CN1525578A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003720.X
申请日：1996-11-06
申请人： 日亚化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343 , H01L31/0264
CPC分类号： H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
摘要： 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1438743A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02147339.0
申请日：2002-10-18
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 奥贯雄一郎
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1028 , H01S5/12 , H01S5/2004
摘要： 本发明旨在提供能够抑制因制造偏差引起的光耦合系数的变动的、使制造合格率得以提高的分布反馈型激光装置，其中设有：位于InP衬底(1)上激活层(4)两侧的包覆层，以及位于任一包覆层中的、与包覆层折射率不同的、带有在光出射方向以预定间距在与该出射方向相交的方向上延伸的栈状格子的衍射光栅(6)；还至少设有一层光分布调整层(2)，该层位于与所述衍射光栅相分离的包覆层内，其成分与所述衍射光栅的相同。
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公开(公告)号：CN1404191A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02132157.4
申请日：2002-09-02
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要： 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。
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公开(公告)号：CN1347178A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01141826.5
申请日：2001-09-19
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/2004 , H01S5/3054
摘要： 一种III－V氮化物半导体激光器件,包括:n侧AlGaN包覆层;n侧波导层;激活层;p侧波导层;和p侧AlGaN包覆层,其中,p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。这种III－V氮化物半导体激光器件具有优良的发射特性,而不会增加生产成本。
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