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公开(公告)号：CN101944537A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010222030.9
申请日：2010-07-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L2251/558
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置和制造所述OLED显示装置的方法。所述OLED显示装置包括含发光区和非发光区的基板，布置在所述基板上的缓冲层，布置在所述缓冲层上非发光区中的半导体层，布置在所述基板整个表面上的栅绝缘层，布置在所述栅绝缘层上发光区中的第一电极，布置在所述栅绝缘层上非发光区中的栅极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的夹层绝缘层，布置在所述夹层绝缘层上并电连接所述半导体层和所述第一电极的源极和漏极，布置在所述基板整个表面上并部分暴露所述第一电极的保护层，布置在所述第一电极上的有机层，和布置在所述基板整个表面上的第二电极。
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公开(公告)号：CN102487070A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110251328.7
申请日：2011-08-23
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1288 , H01L27/326 , H01L51/5262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置包括：基底，在基底中限定有发光区和薄膜晶体管(TFT)区；多层绝缘膜，形成在基底上。折射率仅在绝缘膜之间的界面中的对应于发光区并形成在基底和有机电致发光显示元件的第一电极之间的一个界面处改变，并且折射率在对应于TFT区的绝缘膜之间的两个或更多个界面处改变。
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公开(公告)号：CN102456843A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110287938.2
申请日：2011-09-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 金成虎
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3258
Abstract: 一种有机发光显示设备，包括：位于基板上的缓冲层，包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；位于缓冲层上的源电极和漏电极；薄膜晶体管的第一有源层位于源电极和漏电极之间；和第二有源层，在与第一有源层相同的层处与第一有源层间隔开，并且包括与第一有源层相同的材料；位于缓冲层、源电极和漏电极以及第一有源层和第二有源层上的第一绝缘层，包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；第一栅电极和像素电极，第一栅电极与第一有源层的中心区域相对应，其中第一绝缘层位于第一栅电极与第一有源层之间，像素电极在与第一栅电极相同的层处与第一栅电极间隔开，并且包括与第一栅电极相同的材料；以及位于第一栅电极上的第二栅电极。
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公开(公告)号：CN102280488A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110113640.X
申请日：2011-04-28
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/77 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/136286 , G02F2001/13685 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66757
Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)、包括TFT的阵列基板及制造TFT和阵列基板的方法。所述TFT包括有源层和金属构件，所述金属构件与所述有源层的源区和漏区中的每一个的部分对应，并且被布置在所述有源层上，所述金属构件的部分接触所述有源层的所述源区和所述漏区以及源电极和漏电极，并且所述有源层的与在所述有源层的金属构件下面的部分对应的部分并不被掺杂。
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