公开(公告)号：CN102760791A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN102760791B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN103050568A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210371153.8

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商镇 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮 ,  金元均 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。