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公开(公告)号：CN103066133A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210319964.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0352 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/075 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开一种光电装置，所述光电装置包括位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同的导电类型。所述光电装置还包括位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。
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公开(公告)号：CN103050568A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210371153.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L21/2256 , H01L21/268 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN103094377A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210381388.5
申请日：2012-10-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：硅基底，所述硅基底包括用于接收光的前表面和与前表面相对的后表面；发射极扩散区，位于后表面上并且用与硅基底的极性相反的第一极性掺杂；基极扩散区，位于基底的后表面上并且用与硅基底的极性相同的第二极性掺杂；以及绝缘间隙，位于发射极扩散区和基极扩散区之间，其中，基极扩散区具有闭合的多边形形状，其中，绝缘间隙与基极扩散区相邻。
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公开(公告)号：CN103811572A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310560386.7
申请日：2013-11-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/022466
Abstract: 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。
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