公开(公告)号：CN102449105A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023985.X

申请日：2010-04-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  宫本美幸 ,  德竹大地 ,  吉川彰 ,  柳田健之

IPC: C09K11/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/54 ,  C30B19/02 ,  C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  G01T1/20 ,  G01T1/202

CPC classification number: C09K11/54 ,  C30B19/02 ,  C30B19/061 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  G01T1/202 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明的课题是提供增加了发光量的层叠型ZnO系单晶闪烁剂及其制造方法。为了解决该课题，制造带隙不同的ZnO系半导体的层叠体，使带隙小的层形成α射线、电子束等电离放射线能侵入的厚度，从而大幅增加层叠型ZnO系单晶闪烁剂的发光量。

公开(公告)号：CN101384756A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005600.5

申请日：2007-02-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  宫本美幸

IPC: C30B29/16 ,  C30B19/02 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与该熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。

公开(公告)号：CN101384756B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200780005600.5

申请日：2007-02-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  宫本美幸

IPC: C30B29/16 ,  C30B19/02 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与该熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。

公开(公告)号：CN101688325A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880008873.X

申请日：2008-03-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  大桥直树 ,  坂口勲

IPC: C30B29/22 ,  C30B19/02 ,  H01L21/368 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B19/02 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/285 ,  Y10T428/26

Abstract: 根据本发明，可以提供含镁ZnO系混合单晶，其特征在于，其包含带隙(Eg)为3.30＜Eg≤3.54eV的含有Mg的ZnO系半导体，且膜厚为5μm以上。另外，根据本发明，可以提供根据液相外延生长法制造含镁ZnO系混合单晶的方法，其特征在于，通过将作为溶质的ZnO和MgO与作为溶剂的PbO和Bi 2 O 3 (或者PbF 2 和PbO)混合并熔解，然后使基板与所得熔体直接接触，从而使含镁ZnO系混合单晶在基板上生长。

公开(公告)号：CN102251281B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201110180017.6

申请日：2007-02-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  宫本美幸

IPC: C30B29/16 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B19/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与该熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。

公开(公告)号：CN102251281A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110180017.6

申请日：2007-02-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  宫本美幸

IPC: C30B29/16 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B19/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02554 ,  C30B9/12 ,  C30B15/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明涉及一种采用液相生长法的ZnO单晶的制造方法，其特征在于，使作为溶质的ZnO与作为溶剂的PbF2及PbO或与作为溶剂的PbO及Bi2O3混合熔解，然后，使种晶或基板与该熔液直接接触，从而使ZnO单晶在种晶上或基板上生长。本发明提供一种用液相生长法制造位错、缺陷、着色等少的高品质的ZnO单晶的方法。

公开(公告)号：CN101978102A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110142.0

申请日：2009-03-18

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 关和秀幸 ,  小林纯 ,  宫本美幸 ,  大桥直树 ,  坂口勲 ,  和田芳树

IPC: C30B29/16 ,  C30B19/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L21/02625 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02628

Abstract: 将作为溶质的ZnO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板，从而通过液相外延生长法可将ZnO单晶生长在前述种晶基板上。此外，将作为溶质的ZnO和MgO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板以通过液相外延生长法使含Mg的ZnO系混合单晶生长，其后，通过研磨或蚀刻除去基板，研磨或蚀刻前述单晶的液相外延生长的-c面侧，从而可得到上述自支撑含Mg的ZnO系混合单晶晶片。