-
公开(公告)号：CN103875082A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180074119.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。
-
公开(公告)号：CN106409923A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610982274.4
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，包括：第一工序，对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层；第三工序，在处理室中保持半导体基板的状态下，在处理室内，接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。
-
公开(公告)号：CN103137529B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210497527.0
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/22 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/223 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到一种使用横型的热处理炉进行均匀性优良的热处理的半导体晶片的热处理方法及使用其的太阳能电池的制造方法。其具有：将多个半导体晶片（1）相互平行立起地搭载于处理用舟皿（2）的工序；沿多个半导体晶片（1）的平面相对于管（3）的延伸方向平行的方向将处理用舟皿（2）投入管（3）内的喷射器（5）的上方的空间的工序；从喷射器（5）的开口部（H）将原料气体向管（3）内连续地供给的同时加热管（3）的工序。
-
公开(公告)号：CN108475666A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079449.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/40 , H01L2224/32225
Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。
-
公开(公告)号：CN104521002A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201280075188.5
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137529A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210497527.0
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/22 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/223 , H01L21/67109 , H01L21/67303 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到一种使用横型的热处理炉进行均匀性优良的热处理的半导体晶片的热处理方法及使用其的太阳能电池的制造方法。其具有：将多个半导体晶片（1）相互平行立起地搭载于处理用舟皿（2）的工序；沿多个半导体晶片（1）的平面相对于管（3）的延伸方向平行的方向将处理用舟皿（2）投入管（3）内的喷射器（5）的上方的空间的工序；从喷射器（5）的开口部（H）将原料气体向管（3）内连续地供给的同时加热管（3）的工序。
-
公开(公告)号：CN108475666B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201680079449.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。
-
公开(公告)号：CN109463041A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201680087244.5
申请日：2016-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02S50/10 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
-
公开(公告)号：CN104521002B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280075188.5
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。
-
公开(公告)号：CN103875082B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180074119.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.023 seconds)
