公开(公告)号：CN107004643B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580067691.X

申请日：2015-12-14

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 郡山慎一 ,  小川成敏 ,  小长井雅史 ,  落合建壮 ,  新纳范高

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/373 ,  H05K1/02

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L33/641 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/02 ,  H01L2924/00014

摘要： 电路基板(1)具有：绝缘基板(2)、被接合到绝缘基板(2)的一个主面的金属电路板(3)、被接合到绝缘基板(2)的与一个主面相反侧的主面的金属制的散热板(4)，散热板(4)的厚度为金属电路板(3)的厚度的3.75倍以上，散热板(4)所含有的金属粒子的粒径小于金属电路板(3)所含有的金属粒子的粒径，距绝缘基板(2)的相反侧的主面的距离越大则变得越小。

公开(公告)号：CN104241219B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410424606.8

申请日：2014-08-26

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李志成

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/552 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种元件嵌入式封装结构和其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包含：衬底，具有第一表面和相对于所述第一表面的第二表面，和从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔；第一电性互连件，从所述第一表面延伸到所述第二表面；第一图案化导电层设置于所述第一表面上；第二图案化导电层设置于所述第二表面上，透过所述第一电性互连件与所述第一图案化导电层电性连接；至少一个裸片设置于所述通孔中，所述裸片具有主动面和相对于所述主动面的背面，所述裸片的背面是露出于所述衬底的第二表面；第一介电层，填入所述裸片与所述通孔的侧壁之间的空隙并且覆盖所述裸片的所述主动面和所述衬底的第一表面；第三图案化导电层设置于所述第一介电层的表面上，透过第二电性互连件与所述裸片电性连接；以及金属层，直接设置于所述裸片的背面上。

公开(公告)号：CN108155171B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201711128390.0

申请日：2017-11-15

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 林家祺 ,  李志成 ,  田兴国 ,  杨智勇

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5383 ,  H01L2224/16225 ,  H05K1/183 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/0047 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4688 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09863 ,  H05K2203/308

摘要： 本公开揭露一种半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括：内连接结构及电介质层。电介质层围绕所述内连接结构并且定义一第一凹穴。第一凹穴系由电介质层的第一侧壁、第二侧壁和第一表面定义。第一侧壁系自第二侧壁横向移位(laterally displaced)。

公开(公告)号：CN106024738B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201610183355.8

申请日：2016-03-28

申请人： 意法半导体公司

发明人： G·迪玛尤加 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本披露涉及具有倾斜侧壁的半导体器件及相关方法。一种半导体器件可以包括多层互连板，该多层互连板以堆叠关系具有下部导电层、电介质层以及上部导电层。该电介质层可以具有形成的凹陷，该凹陷具有底部以及从该底部向上延伸的倾斜侧壁。该上部导电层可以包括跨该倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线，并且该下部导电层可以包括多条下部导电迹线。该半导体器件可以包括在该下部导电层与该上部导电层之间延伸的多个过孔、在该凹陷中由该多层互连板承载的IC、将该多条上部导电迹线耦接至该IC的多条键合接线以及与该IC相邻并与该多层互连板的多个部分相邻的包封材料。

公开(公告)号：CN109755191A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811257876.9

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 吴华燮 ,  李斗焕

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；散热构件，附着到所述半导体芯片的所述无效表面；包封剂，覆盖所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少部分；以及连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述散热构件具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN108886025A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680083979.0

申请日：2016-11-14

申请人： 海成帝爱斯株式会社

发明人： 裵仁燮 ,  姜圣日

IPC分类号： H01L23/053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

摘要： 本发明提供一种半导体封装基板及其制造方法，所述半导体封装基板及其制造方法使用简单的制造工艺而具有改良的图案准确性及产品可靠性。所述半导体封装基板包括：基础基板，具有导电材料，且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片且所述第一区域在表面中包括第一凹槽或第一沟渠，所述第二区域接触所述第一区域且在表面中包括虚设凹槽或虚设沟渠；以及树脂，填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠中。

公开(公告)号：CN105849896B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480057243.7

申请日：2014-10-07

申请人： 森西欧有限公司

发明人： 尤尔根·伦纳度斯·希德罗瑞斯·玛莉亚·拉 ,  本

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/16

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14636 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 集成电路封装包括：集成电路；连接至集成电路的外部连接元件(3)；包围集成电路的封装材料(2)；以及允许另外的元件机械连接至集成电路封装(1)的机械元件(5、6、7)。机械元件(5、6、7)为例如：附接元件(5)；可选地具有螺纹的机械元件(5)；套管元件；轴承元件(7)；电连接器(6)。

公开(公告)号：CN108807304A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810661914.0

申请日：2015-10-22

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 林奕嘉 ,  府玠辰 ,  廖国宪 ,  林政男

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 本申请涉及一种半导体封装元件，其包含衬底、至少一个组件、封装本体、第一导电层、第一屏蔽层、第二屏蔽层及第二导电层。所述组件设置于所述衬底的第一表面上。所述封装本体设置于所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述组件。所述第一导电层覆盖所述封装本体及所述衬底的至少一部分。所述第一屏蔽层覆盖所述第一导电层，且具有第一厚度并包含高电导率材料。所述第二屏蔽层覆盖所述第一屏蔽层，且具有第二厚度并包含高磁导率材料。所述第一厚度对所述第二厚度的比率在0.2到3的范围内。所述第二导电层覆盖所述第二屏蔽层。

公开(公告)号：CN108781512A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018895.3

申请日：2017-03-27

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 川头芳规

IPC分类号： H05K1/18 ,  H01L23/13 ,  H05K3/34 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L23/13 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34 ,  H05K3/46

摘要： 本发明的一个实施方式所涉及的高频基板(1)具备绝缘基体(2)、第1线路导体(3)、第2线路导体(4)、电容器(5)、第1接合件(6)和第2接合件(7)。绝缘基体(2)在上表面具有凹部(21)。第1线路导体(3)在绝缘基体(2)的上表面从凹部(21)的端部延伸而设。第2线路导体(4)在绝缘基体(2)的上表面夹着凹部(21)与第1线路导体(3)对置而设。电容器(5)与凹部(21)重叠而设。第1接合件(6)将电容器(5)和第1线路导体(3)接合。第2接合件(7)将电容器(5)和第2线路导体(4)接合，并与第1接合件(6)空出间隔而设。

公开(公告)号：CN108781502A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017194.8

申请日：2017-04-20

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 鬼塚善友

IPC分类号： H05K1/02 ,  H01L23/12 ,  H05K3/00

CPC分类号： H05K3/0029 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/544 ,  H03B5/326 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02897 ,  H03H9/058 ,  H03H9/19 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/0052 ,  H05K2203/107

摘要： 多连片布线基板具备：母基板，具有第一主面以及与第一主面对置的第二主面，并且排列有多个布线基板区域，母基板包含：分割槽，沿着布线基板区域的边界设置在第一主面以及第二主面，分割槽具有：第一分割槽，设置在布线基板区域的一方的边的第一主面；第二分割槽，与第一分割槽对置地设置在第二主面；第三分割槽，设置在布线基板区域的另一方的边的第一主面；以及第四分割槽，与第三分割槽对置地设置在第二主面，第一分割槽的深度以及第二分割槽的深度设置得比第三分割槽的深度以及第四分割槽的深度大，具有设置为第三分割槽的深度朝向布线基板区域的角部逐渐增大的第一曲部，并具有设置为第四分割槽的深度朝向布线基板区域的角部逐渐增大的第二曲部。