公开(公告)号：CN104952699B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201510131915.0

申请日：2015-03-25

申请人： 斯克林集团公司

发明人： 小林健司 ,  奥谷学

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/022 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

摘要： 本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括：有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给，以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜，利用有机溶剂置换冲洗液；基板高温化工序，在形成有机溶剂的液膜后，使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在有机溶剂的液膜的整个区域，在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方；有机溶剂排除工序，将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。

公开(公告)号：CN107026104A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611113293.X

申请日：2016-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卢佳暐 ,  王泓智 ,  黄宏麟

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67196 ,  B05C11/06 ,  C23C18/1691 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6719

摘要： 腔室包含侧壁、冷却管和外管。冷却管包含沿着腔室的侧壁延伸的第一区段并且包含多个净化喷嘴。外管延伸到腔室内部并且连接到冷却管的第一区段。半导体处理站包含中心传递腔室、负载锁定腔室和冷却台。负载锁定腔室和冷却台邻近于中心传递腔室安置。负载锁定腔室用以容纳具有多个晶片的晶片载体。中心传递腔室连通在冷却台与负载锁定腔室之间，以在冷却台与负载锁定腔室之间传递晶片。

公开(公告)号：CN104025259B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280065485.1

申请日：2012-11-23

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  C23C16/507 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67772

摘要： 根据本发明一实施方案，用于对基板进行工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部敞开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于封闭下部腔室中敞开的上部，并提供实现工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板进行工艺的工艺位置；气体供应单元，其向工艺空间供应反应性气体；以及处理单元，其设置在外部反应管的外侧，并使反应性气体活性化而对基板进行工艺。

公开(公告)号：CN105304536A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510446903.7

申请日：2015-07-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·斯蒂法纳 ,  G·德尼弗尔 ,  R·门尼希 ,  H·希尔德 ,  A·G·温克勒

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4587 ,  C23C8/10 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67739

摘要： 公开了在立式炉中移动衬底的衬底载具系统和处理衬底的方法。在一些实施例中，一种用于氧化材料或沉积材料的方法包括通过衬底载具承载多个衬底和将衬底载具插入立式炉内，其中多个衬底由衬底载具保持在预定位置，其中多个衬底中的在预定位置中的一个位置处的衬底的主表面与竖直方向之间测得的角度小于20度。方法进一步包括氧化多个衬底上的材料或将材料沉积到多个衬底上。

公开(公告)号：CN105097622A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510217064.1

申请日：2015-04-30

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 阿部信平

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01L21/67353 ,  H01L21/67373 ,  H01L21/67376 ,  H01L21/67303

摘要： 本发明提供了一种晶片承载器(1)，该晶片承载器(1)包括下部单元(2)和上部单元(3)，半导体晶片(100)放置在下部单元(2)上，上部单元(3)以可拆卸的方式附接至下部单元(2)并且在上部单元(3)与下部单元(2)之间形成用于容置半导体晶片(100)的密闭室(4)。上部单元(3)设置有多个锁定机构(5)，所述多个锁定机构(5)通过抵接在下部单元(2)的侧表面上而使下部单元(2)固定至上部单元(3)。

公开(公告)号：CN104714317A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510160948.8

申请日：2015-04-07

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 徐敏

IPC分类号： G02F1/13 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67709 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67303 ,  G02F1/1303

摘要： 本发明公开了一种卡匣和基板转移装置。根据本发明的卡匣包括：第一框体，第一框体包括至少一组第一导轨；至少一个移动面，移动面设置在第一框体内并可沿第一导轨滑动，移动面可通过磁性吸附固定在第一框体上。根据本发明的基板转移装置，包括根据本发明的卡匣及其承载装置，承载装置包括第二框体以及安装在第二框体内的旋转单元，其中，旋转单元包括：旋转框及设置在旋转框中心用于带动旋转框旋转的旋转轴。根据本发明卡匣的移动面可以牢固的固定在第一框体上，也能自由移动改变子卡匣大小；根据本发明的基板转移装置可以自动并精确调节子卡匣大小，并能使卡匣旋转来转调整需要装载基板的位置。

公开(公告)号：CN102286731B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201110168440.4

申请日：2011-06-17

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 和村有 ,  两角友一朗 ,  佐藤泉 ,  浅利伸二

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303

摘要： 本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。

公开(公告)号：CN104025259A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065485.1

申请日：2012-11-23

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  C23C16/507 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67772

摘要： 根据本发明一实施方案，用于对基板进行工艺的基板处理装置，其包括：下部腔室，其上部敞开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于封闭下部腔室中敞开的上部，并提供实现工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板进行工艺的工艺位置；气体供应单元，其向工艺空间供应反应性气体；以及处理单元，其设置在外部反应管的外侧，并使反应性气体活性化而对基板进行工艺。

公开(公告)号：CN103489954A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201210189339.1

申请日：2012-06-11

申请人： 苏州安融石英有限公司

发明人： 常永喜 ,  陈文 ,  申应琪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/673 ,  C30B31/00

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L21/67303

摘要： 一种石英舟，包括舟体和用于连接所述舟体同一侧的2个所述舟脚均为乳白不透明石英，材质上保证了统一性，在高温加工中，不会向外释放杂质微粒，确保石英舟所承载的被加工物体的纯度和良品率，且在检测环节，舟脚能一直保持对红外线较高的反射率，使得自动检测设备的定位能保持稳定，不会出现定位不准撞坏舟脚的问题，显著提高了石英舟的使用寿命。

公开(公告)号：CN102804334A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080024469.9

申请日：2010-06-03

申请人： 三美电机株式会社

发明人： 山崎充晴

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2924/13055

摘要： 一种具有半导体装置可形成区域的半导体基板，其特征在于，在该半导体基板的外周部上，形成比所述半导体可形成区域更厚、表面具有平坦的顶部的增强部，将该增强部的所述顶部与所述半导体装置可形成区域连接的内侧侧面具有越接近所述半导体装置可形成区域内径越小的剖面形状。