公开(公告)号：CN102194669B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110003496.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田幸生 ,  关谷晃一 ,  小林和雄 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01L21/046 ,  H01L22/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。

公开(公告)号：CN102194669A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110003496.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田幸生 ,  关谷晃一 ,  小林和雄 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01L21/046 ,  H01L22/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。