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    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法
    1.
    发明授权
    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102473612B

    公开(公告)日：2015-06-10

    申请号：CN201080035372.8

    申请日：2010-04-26

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 滝正和 ,  津田睦 ,  新谷贤治 ,  今村谦

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/509

    CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/45565

    摘要： 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。

    基板处理装置、基板处理方法以及太阳能电池的制造方法
    2.
    发明公开
    基板处理装置、基板处理方法以及太阳能电池的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN103035507A

    公开(公告)日：2013-04-10

    申请号：CN201210365272.2

    申请日：2012-09-27

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 今村谦 ,  津田睦 ,  折田泰 ,  友久伸吾 ,  新谷贤治

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法及太阳能电池的制造方法。在玻璃基板表面的除缘部以外的区域形成凹凸形状。处理装置具有：真空容器；基板台，配置在真空容器内并载置基板；气体供给部，从与基板台相对的位置供给处理基板的气体；延伸部，在从与处理面垂直的方向透视时，选择性覆盖处理面周缘部地配置且从真空容器的内壁朝基板台延伸；距离调节机构，在处理基板时使周缘部与延伸部的距离接近以使由气体供给部、延伸部及处理面包围的第一空间和其外侧的第二空间彼此分离，在更换基板时使周缘部与延伸部远离；第一排气口，与第一排气装置连接，在处理基板时对第一空间减压；及第二排气口，与第二排气装置连接，在处理基板时对第二空间减压。

    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法
    3.
    发明公开
    等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102473612A

    公开(公告)日：2012-05-23

    申请号：CN201080035372.8

    申请日：2010-04-26

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 滝正和 ,  津田睦 ,  新谷贤治 ,  今村谦

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/509

    CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/45565

    摘要： 在构成等离子体CVD装置(40)的等离子体电极(30)时，设置：设置有工艺气体导入孔(第2工艺气体导入孔(21a))的主电极部(21)、和安装于主电极部的端部并在与该主电极部之间形成气体扩散空间(DS)的气体喷板部(23)，在气体喷板部中形成用于吐出工艺气体的多个气体吐出孔(23a)，在气体扩散空间内，配置具有用于工艺气体流通的多个气体流通孔(25a)的气体扩散板(25)、和穿过气体扩散板的气体流通孔并将气体喷板部和主电极部热连接的多个传热柱部(27)，在气体流通孔的内壁与穿过该气体流通孔的传热柱部的周面之间形成空隙。