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公开(公告)号：CN111903020A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091538.4
申请日：2018-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 河原弘幸
IPC: H01S5/22
Abstract: 具有：在基材之上形成第1半导体层的工序；在第1半导体层之上形成掩模的工序；使用掩模对第1半导体层进行蚀刻，形成半导体构造的工序；在与半导体构造的侧面接触的区域形成第2半导体层的工序，该第2半导体层具有与掩模接触的凸部；凸部去除工序，供给蚀刻气体而去除凸部；以及再生长层形成工序，在半导体构造及第2半导体层之上供给原料气体而形成再生长层，在同一制造装置内实施凸部去除工序及再生长层形成工序。
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公开(公告)号：CN112913095A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201880098782.3
申请日：2018-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：台面(200)，在第一导电型基板(10)的表面依次层叠有第一导电型包覆层(11)、活性层(20)、以及具有第二导电型的第二导电型第一包覆层(30)；埋入层(50)，以使台面(200)的顶部露出的方式将台面(200)的两侧埋入；以及第二导电型第二包覆层(31)，将埋入层(50)以及从埋入层(50)露出的台面(200)的顶部埋入，埋入层(50)包含掺杂有半绝缘性材料的层，以使第二导电型第一包覆层(30)的宽度随着朝向台面(200)的顶部而变窄的方式，第二导电型第一包覆层(30)与埋入层(50)的边界(33)倾斜。
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公开(公告)号：CN110537302A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201780089190.0
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 河原弘幸
IPC: H01S5/026
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触。并且，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。
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公开(公告)号：CN104779519B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510011808.4
申请日：2015-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3026 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/24585 , H01J2237/30472 , H01J2237/3174 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/12 , H01S5/3054 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3434 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、以及半导体装置的制造系统，能够减小光调制器部的光致发光波长与激光部的振荡波长的差值的波动。其特征在于，具有：第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、光吸收层和上部光限制层，去除它们的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在该衬底的没有形成该光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在该上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在该激光部和该扩散抑制层的上方形成接触层。而且，使该接触层的掺杂物的种类与该上部光限制层的掺杂物的种类一致。
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公开(公告)号：CN118266139A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202180104326.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器(100)具备形成于n型半导体基板(1)的脊构造(16)、和以覆盖脊构造(16)的在与延伸方向垂直的方向上相互对置的两侧的方式埋入的埋入层(13)。脊构造(16)具有从n型半导体基板(1)侧依次形成的n型包层(4)、活性层(5)和p型包层(6)。埋入层(13)具有与脊构造(16)的p型包层(6)及活性层(5)的两侧面相接的p型半导体层(7b)和半绝缘层(8)，p型半导体层(7b)不与脊构造(16)的n型包层(4)相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110622374B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201780090807.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 河原弘幸
IPC: H01S5/026
Abstract: 具备：基板；半导体激光器部，其通过在该基板之上层叠包含有源层在内的多个层而形成；邻接部，其是光调制器或者光波导，通过在该基板之上层叠包含芯层在内的多个层而形成，通过与该半导体激光器部对接接合而与该半导体激光器部相接。特征在于，就该半导体激光器部与该邻接部对接接合的半导体装置而言，至少该半导体激光器部的与该邻接部相接的部分被无序化。
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公开(公告)号：CN110537302B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201780089190.0
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 河原弘幸
IPC: H01S5/026
Abstract: 本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触。并且，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。
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公开(公告)号：CN118786589A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202280092956.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 河原弘幸
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明提供半导体元件以及半导体元件的制造方法。本公开的半导体元件(550)具备第1导电型的InP半导体基板(101)、由在第1导电型的半导体基板(101)之上依次形成的第1导电型的第1半导体层(102)、未掺杂活性层(103)、和第2导电型的半导体层(104)构成的层叠半导体层、形成在层叠半导体层之上的第1导电型的第2半导体层(109)、和形成为与第1导电型的第2半导体层(109)接触的绝缘膜(110)，在绝缘膜(110)设置有第1导电型的第2半导体层(109)在底部露出的开口部(110a)。
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