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公开(公告)号：CN103597115A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201180071560.0
申请日：2011-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 浜笃郎
IPC: C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/24 , C23C16/4583 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532
Abstract: 一种等离子体成膜装置，具有与被成膜物相向的高频电极以及与被成膜物连接的接地电极，使用在高频电极与接地电极之间发生的等离子体对被成膜物进行成膜，其中，高频电极具有：第1高频电极（101），与被成膜物（100）的第1被成膜面（113）相向；以及第2高频电极（102），与被成膜物中的和第1被成膜面相反一侧的第2被成膜面（114）相向，第1高频电极、第2高频电极以及接地电极（103）使得用于第1被成膜面的成膜的第1高频电极以及接地电极之间的等离子体、和用于第2被成膜面的成膜的第2高频电极以及接地电极之间的等离子体同时发生。
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公开(公告)号：CN105684158B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380080519.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b)，该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸，是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域，并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状，该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素，在多个第一n型杂质扩散层(3a)中，随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。
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公开(公告)号：CN105684158A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201380080519.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b)，该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸，是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域，并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状，该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素，在多个第一n型杂质扩散层(3a)中，随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924956A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082173.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。
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公开(公告)号：CN105706245A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201380080756.5
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备第1导电型的半导体基板(11)，在作为受光面侧的一面侧具有被扩散第2导电型的杂质元素的杂质扩散层；多根受光面侧电极(61、63)，是在一面侧通过电极材料膏的多层印刷形成并与杂质扩散层电连接的多层结构的膏电极，在半导体基板(11)的面方向的特定方向上平行地延伸而具有线状形状；以及背面侧电极，形成于半导体基板(11)的另一面侧，在多根受光面侧电极(61、63)中，随着在受光面侧电极(61)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个受光面侧电极(61)的宽度变窄。
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公开(公告)号：CN107924956B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201580082173.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。
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公开(公告)号：CN107851681A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580081781.4
申请日：2015-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 目的在于，在形成固相扩散源的膜后，接着在进行基于热处理的杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，包括：在具有受光面(1A)以及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及热处理工序，加热n型单晶硅基板(1)，使作为第2导电类型的杂质的硼从BSG膜(2)扩散而形成p型扩散层(7)，在热处理工序之前，包括去除形成于背面1B的含硼生成物(4)、含氧化硅生成物(5)等固相扩散源的膜的工序。
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公开(公告)号：CN105706245B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380080756.5
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备第1导电型的半导体基板(11)，在作为受光面侧的一面侧具有被扩散第2导电型的杂质元素的杂质扩散层；多根受光面侧电极(61、63)，是在一面侧通过电极材料膏的多层印刷形成并与杂质扩散层电连接的多层结构的膏电极，在半导体基板(11)的面方向的特定方向上平行地延伸而具有线状形状；以及背面侧电极，形成于半导体基板(11)的另一面侧，在多根受光面侧电极(61、63)中，随着在受光面侧电极(61)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个受光面侧电极(61)的宽度变窄。
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