公开(公告)号：CN104350607B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201280073884.2

申请日：2012-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山绫 ,  渕上宏幸 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/074

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。

公开(公告)号：CN104350607A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073884.2

申请日：2012-10-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山绫 ,  渕上宏幸 ,  时冈秀忠

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/074

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。