公开(公告)号：CN104350607A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073884.2

申请日：2012-10-15

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 西山绫 ,  渕上宏幸 ,  时冈秀忠

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/074

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。

公开(公告)号：CN102473776B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201080034233.3

申请日：2010-01-11

申请人： LG电子株式会社

发明人： 沈昡孜 ,  李承允 ,  柳东柱 ,  李宪民 ,  黄先泰 ,  安世源 ,  鱼英株

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。

公开(公告)号：CN104025307A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065857.0

申请日：2012-12-20

申请人： TEL太阳能公司

发明人： 玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/076

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及高效率和低生产成本的多结薄膜太阳能电池(70)。多结薄膜太阳能电池的组成电池之一(61)的n层(64，65，66，67)具有沿入射光的预期的方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构，其中中间反射层为如下中之一：单个微晶的基本为硅氧化物的层；或多个层序列，每个层序列均沿入射光的预期的方向包括微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层。本发明还涉及制造以上n层(64，65，66，67)的方法，以及涉及制造上述多结薄膜太阳能电池(70)的方法。

公开(公告)号：CN102437226B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201110414526.0

申请日：2011-12-13

申请人： 清华大学

发明人： 韦进全 ,  王红光 ,  白曦 ,  贾怡 ,  朱宏伟 ,  王昆林 ,  吴德海

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/03685 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/06 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4213 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种碳纳米管-硅薄膜叠层太阳能电池及其制备方法。该叠层电池太阳能电池，其包括依序层叠的：透明衬底、透明导电薄膜、硅薄膜层、碳纳米管薄膜和背电极，所述硅薄膜层由至少两层硅薄膜组成，所述硅薄膜层中的硅为非晶硅或微晶硅；所述硅薄膜层与所述碳纳米管薄膜构成异质结。所述硅薄膜可以为PN双层薄膜、PIN三层薄膜、NPN三层薄膜或者NPIN四层薄膜。在薄膜叠层电池中，碳纳米管作为P+层，与上述硅薄膜构成CNT/P+-P/N结构的叠层电池，或者CNT/P+-P/I/N结构的叠层电池，或者CNT/P+-N/P/N结构的叠层电池，或者CNT/P+-N/P/I/N结构的叠层电池。该碳纳米管-硅薄膜叠层电池可以有效提高电池的开路电压、转换效率等，并且具有工艺简单，成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN101567408B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910136910.1

申请日：2009-04-24

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤翔 ,  鸟海聪志 ,  井坂史人

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L31/1896 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 所公开的发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。

公开(公告)号：CN103201856A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180050279.9

申请日：2011-08-19

申请人： 集成光伏公司

发明人： 沙伦·泽哈维 ,  杰尔姆·S·丘利克

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了用来在可去除衬底上制造光伏器件的序列式方法。该方法公开了形成有源区的两个半导体层；所述半导体层中的至少一层通过高纯度等离子喷涂工艺形成；可选层包括脱模层、一个或多个阻挡层、盖层、导电支撑层、机械支撑层、防反射层、以及分布布拉格反射器。该方法也可以用来形成多个有源区。

公开(公告)号：CN101436618B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810176180.3

申请日：2008-11-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1892 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。

公开(公告)号：CN102097536B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201010585045.1

申请日：2010-12-08

申请人： 杜邦太阳能有限公司

发明人： 王秋富 ,  江获先

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/048

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明描述一种制造一体化光伏模块的方法。该方法包括以下步骤。首先，提供一可挠性基板，并在其上形成一第一粘着层、一金属层及一第二粘着层。用至少一种蚀刻膏，蚀刻该第二粘着层、该金属层及该第一粘着层。此外，通过蚀刻膏或冷激光切割，在其上形成一经图案化的半导体本体层。此外，通过蚀刻膏或冷激光切割，在该经图案化的半导体本体层上形成图案化的透明顶部电极。

公开(公告)号：CN101944543B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010153944.4

申请日：2010-04-23

申请人： 韩国铁钢株式会社

发明人： 明承烨

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/03687 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种光电装置及其制造方法，其包括：基板；第一电极，设置在上述基板上；至少一个光电转换层，设置在上述第一电极上，且包括受光层；第二电极，设置在上述光电转换层上。所述受光层包括：第一子层，含有氢化微晶硅锗(μc-SiGe:H)和在所述氢化微晶硅锗之间所形成的非晶硅锗网状物(a-SiGe:H)；第二子层，含有氢化微晶硅(μc-Si:H)和在所述氢化微晶硅之间所形成的非晶硅网状物(a-Si:H)。

公开(公告)号：CN101836301B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880112707.4

申请日：2008-10-30

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 洪震 ,  金宰湖 ,  金桢植

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/046 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，所述薄膜型太阳能电池包括：衬底；前电极，所述前电极通过用于将所述太阳能电池划分成多个单体电池的分隔部分以固定间隔布置在所述衬底上，其中，每个分隔部分被插置在所述前电极之间；半导体层图案，所述半导体层图案通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述前电极上；后电极，所述后电极通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述半导体层图案上；以及辅助电极，所述辅助电极电连接所述前电极和所述后电极，其中，通过利用所述辅助电极，所述前电极与所述后电极电连接，从而可以使将太阳能电池划分为多个单体电池的激光划线过程的次数减至最少，由此防止产生碎料。