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公开(公告)号：CN114761608A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082938.6
申请日：2020-11-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该Ag合金膜由包含In及Ge的Ag合金构成，在表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。所述Ag合金优选含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN105074047B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201480018190.8
申请日：2014-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D11/004 , B22D11/006 , B22D13/02 , B22D13/023 , B22D21/025 , C22C9/00 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu‑Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。
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公开(公告)号：CN105473760A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046016.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/3414 , H01J37/3426
Abstract: 本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面形成保护膜时使用，含有5质量％以上且15质量％以下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn、0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN103958727A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058004.4
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414 , H01B1/02 , H01L51/5218 , H05B33/26
Abstract: 本发明的溅射靶的一种形式具有含0.1～1.5质量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒径偏差在平均粒径的20％以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形式对具有所述成分组成的熔炼铸锭依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每一道次的轧制率为20～50％、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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公开(公告)号：CN113166922A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077161.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , C22F1/00 , C22F1/14
Abstract: 本发明以0.10原子％以上且5.00原子％以下的范围含有Cu，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106414793B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201680001534.3
申请日：2016-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种Ag合金溅射靶，其特征在于，所述Ag合金溅射靶为如下组分：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN106414793A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201680001534.3
申请日：2016-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种Ag合金溅射靶，其特征在于，所述Ag合金溅射靶为如下组分：以总计0.1原子％以上且15.0原子％以下的范围含有选自Cu、Sn、Sb、Mg、In、Ti中的一种或两种以上的元素，进一步以0.5原子ppm以上且200原子ppm以下的范围含有S，且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN105793449A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201580002653.6
申请日：2015-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01B1/02
Abstract: 该Ag合金膜含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In、1质量ppm以上且50质量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。该溅射靶含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In、1质量ppm以上且50质量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且氧浓度小于50质量ppm，溅射面的面积为0.25m2以上，Cu的面内浓度分布DCu(＝(σCu/μCu)×100)为40％以下。
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公开(公告)号：CN104995329A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480004353.7
申请日：2014-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/0021
Abstract: 一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。
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公开(公告)号：CN103298970B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201280003192.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L51/5218
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，本发明的溅射靶的一种形态具有包含0.1～1.5质量%的In且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，并且合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于150μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形态为在具有所述成分组成的熔炼铸锭上依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每1道次的压下率为20～50%、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
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