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公开(公告)号：CN110325310A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013624.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的接合体的制造方法具备：层叠工序，在第1部件(11)的接合面及第2部件(22、23)的接合面的至少一面，配设含有有机物的临时固定件(40)，通过临时固定件(40)层叠所述第1部件(11)与所述第2部件(22、23)来进行所述第1部件与所述第2部件的对位，以形成临时固定所述第1部件(11)与所述第2部件的层叠体；及接合工序，沿层叠方向加压所述层叠体并进行加热，以接合所述第1部件(11)与所述第2部件(22、23)。所述接合工序中，在将所述层叠体加热至指定的接合温度为止的升温过程中，至少将所述临时固定件(40)所含有的所述有机物的分解温度TD的加压负荷P2设定成比所述接合温度的加压负荷P1低。
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公开(公告)号：CN111819682B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201980017207.0
申请日：2019-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的绝缘电路基板用接合体的制造方法具有：铝电路层形成工序，在陶瓷基板的一个面形成多个铝电路层；及铜电路层形成工序，在各个所述铝电路层上分别层叠电路层用铜板，将所述层叠体配置于在至少一个面具有凸曲面且使这些凸曲面彼此对置配置的一对垫板之间，通过将所述垫板朝对置方向移动而在层叠方向上对所述层叠体进行加压，在该加压状态下进行加热，由此形成将所述电路层用铜板固相扩散接合至所述铝电路层而成的铜电路层，在所述铜电路层形成工序中，以所述凸曲面中的任一个凸曲面横跨并抵接于所述层叠体中相邻的多个所述电路层用铜板的方式，配置所述垫板。
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公开(公告)号：CN115136299A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015718.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 在将包括金属板的多个不同材料的层叠体在加压及加热状态下进行接合时，将依次层叠有第一金属箔/碳片或陶瓷片/石墨片的第一按压部件，以第一金属箔与所述层叠体的第一金属板的表面接触的方式配置，第一金属箔由加热时在第一金属箔的接触面不与第一板部件反应的材料形成，第一金属箔的杨氏模量(GPa)与厚度(mm)的乘积为0.6以上且100以下，能够对层叠体进行均匀地加压而制造良好的接合体，能够抑制在层叠体的表面附着异物。
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公开(公告)号：CN110366777A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880012550.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/373 , H05K1/02 , H05K7/20
Abstract: 本发明的制造方法制造带散热片的绝缘电路基板(40)，该带散热片的绝缘电路基板(40)具备：绝缘电路基板(10)，在绝缘层(11)形成有电路层(12)及金属层(13)；及散热片(41)，接合于所述金属层(13)侧。所述金属层(13)由铝或铝合金构成，且压痕硬度小于50mgf/μm2。所述散热片(41)的与绝缘电路基板(10)的接合面由铝或铝合金构成。该方法具备：铝接合层形成工序(S02)，在所述金属层(13)形成由固相线温度为650℃以下的铝或铝合金构成的铝接合层(31)；及散热片接合工序(S03)，将由铜或铜合金构成的铜接合材料(32)层叠于所述铝接合层(31)与所述散热片(41)之间，并将所述铝接合层(31)、所述铜接合材料(32)及所述散热片(41)进行固相扩散接合。
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公开(公告)号：CN110366777B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880012550.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/373 , H05K1/02 , H05K7/20
Abstract: 本发明的制造方法制造带散热片的绝缘电路基板(40)，该带散热片的绝缘电路基板(40)具备：绝缘电路基板(10)，在绝缘层(11)形成有电路层(12)及金属层(13)；及散热片(41)，接合于所述金属层(13)侧。所述金属层(13)由铝或铝合金构成，且压痕硬度小于50mgf/μm2。所述散热片(41)的与绝缘电路基板(10)的接合面由铝或铝合金构成。该方法具备：铝接合层形成工序(S02)，在所述金属层(13)形成由固相线温度为650℃以下的铝或铝合金构成的铝接合层(31)；及散热片接合工序(S03)，将由铜或铜合金构成的铜接合材料(32)层叠于所述铝接合层(31)与所述散热片(41)之间，并将所述铝接合层(31)、所述铜接合材料(32)及所述散热片(41)进行固相扩散接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383469B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880015871.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/36 , H05K1/02 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种带散热片的功率模块用基板，其具备：功率模块用基板；及散热片，由铝浸渗的碳化硅多孔体构成，所述铝浸渗的碳化硅多孔体为在由碳化硅构成的多孔体中浸渗铝等而形成，在将电路层的屈服强度设为σ1(MPa)，将电路层的厚度设为t1(mm)，将电路层与陶瓷基板的接合面积设为A1(mm2)，将金属层的屈服强度设为σ2(MPa)，将金属层的厚度设为t2(mm)，将金属层与陶瓷基板的接合面积设为A2(mm2)时，厚度t1形成为0.1mm以上且3.0mm以下，厚度t2形成为0.15mm以上且5.0mm以下的同时，厚度t2形成为大于厚度t1，比例{(σ2×t2×A2)/(σ1×t1×A1)}设在1.5以上且15以下的范围内。
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公开(公告)号：CN110383468B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880015803.0
申请日：2018-02-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/373 , H05K1/02
Abstract: 本发明的带散热片的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在陶瓷基板的两面配设有由铜等构成的电路层及金属层；铝层；铜层；及由铝浸渗的碳化硅多孔质构成的散热片，在金属层与铝层之间、铝层与铜层之间、铜层与铝浸渗的碳化硅多孔体之间，形成具有铝与铜的金属间化合物的扩散层，电路层的厚度t1为0.1mm以上且3.0mm以下，金属层的厚度t2为0.1mm以上且3.0mm以下，厚度t3为3.0mm以下，厚度t4为0.1mm以上且5.0mm以下，比例[(σ1×t1×A1)/{(σ2×t2×A2)+(σ3×t3×A3)+(σ4×t4×A4)}]设在0.06以上且0.70以下的范围内。
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公开(公告)号：CN110325310B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201880013624.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的接合体的制造方法具备：层叠工序，在第1部件(11)的接合面及第2部件(22、23)的接合面的至少一面，配设含有有机物的临时固定件(40)，通过临时固定件(40)层叠所述第1部件(11)与所述第2部件(22、23)来进行所述第1部件与所述第2部件的对位，以形成临时固定所述第1部件(11)与所述第2部件的层叠体；及接合工序，沿层叠方向加压所述层叠体并进行加热，以接合所述第1部件(11)与所述第2部件(22、23)。所述接合工序中，在将所述层叠体加热至指定的接合温度为止的升温过程中，至少将所述临时固定件(40)所含有的所述有机物的分解温度TD的加压负荷P2设定成比所述接合温度的加压负荷P1低。
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公开(公告)号：CN111819681B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980017185.8
申请日：2019-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种带散热器的绝缘电路基板，具备：绝缘电路基板，在陶瓷基板的一个面接合有电路层，并且在陶瓷基板的另一个面接合有由铝或铝合金构成的金属层；及接合于所述金属层的散热器，其中，所述散热器具有：接合于所述金属层且由铜或铜合金构成的第1金属层、接合于所述第1金属层的与所述金属层相反的一侧的面的陶瓷板材、接合于该陶瓷板材的与所述第1金属层相反的一侧的面且由铜或铜合金构成的第2金属层，所述第1金属层的厚度T1为0.3mm以上且3.0mm以下且为所述第2金属层的厚度T2以上。
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公开(公告)号：CN111819683A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017260.0
申请日：2019-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种带散热器的绝缘电路基板，具备：绝缘电路基板，在陶瓷基板的一个面接合有电路层，并且在陶瓷基板的另一个面接合有由铜或铜合金构成的金属层；及接合于金属层的散热器，其中，散热器具有：接合于金属层且由铝或铝合金构成的第1金属层、接合于该第1金属层的与金属层相反的一侧的面的陶瓷板材、接合于该陶瓷板材的与第1金属层相反的一侧的面且由铝或铝合金构成的第2金属层，第1金属层的厚度T1及第2金属层的厚度T2为0.8mm以上且3.0mm以下，第1金属层的厚度T1与第2金属层的厚度T2的厚度比T1/T2为1.0以上。
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