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公开(公告)号:CN102598292A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080048346.9
申请日:2010-11-11
申请人: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要: 本发明提供一种薄膜光电转换装置,其为高效率的三接合型薄膜光电转换装置,霾度高,并且使由各光电转换层得到的短路电流值均匀化。薄膜光电转换装置(100)在基板(1)上顺次具备透明电极层(2)和三层硅类光电转换层(91、92、93)。透明电极层(2)具有至少一个通过蚀刻处理而形成的使基板(1)的表面露出的开口部(5),透明电极层(2)的相对于宽波长区域的光的霾度处于60%以上。
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公开(公告)号:CN103026508A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180035754.5
申请日:2011-09-28
申请人: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/077
CPC分类号: H01L31/202 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法,能够提升太阳能电池的发电特性,所述太阳能电池具有由p型晶体Ge(基板)-i型非晶硅半导体层-n型非晶硅半导体层构成的异质结单元。光电转换装置(100)在基板(p型晶体Ge)(11)上设置依次层叠i型非晶硅半导体层(12)和n型非晶硅半导体层(13)而成的异质结单元(1),该光电转换装置(100)的制造方法具备:PH3暴露处理工序,使已除去表面形成的氧化膜的基板(11)达到预定温度后,将该基板配置在真空腔室内并使其暴露于PH3中;i层制膜工序,在经PH3暴露的基板上制作i型非晶硅半导体层(12);n层制膜工序,在i型非晶硅半导体层(12)上制作n型非晶硅半导体层(13);以及电极形成工序,在n型非晶硅半导体层上、及在基板(11)的背面侧的面上形成电极(2、3、4)。
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