公开(公告)号：CN1969345A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019513.6

申请日：2005-06-16

申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

发明人： 石神俊一郎 ,  山口邦生 ,  四元孝二

IPC分类号： H01C7/04

CPC分类号： H01C17/06533 ,  G01J5/20 ,  H01C7/008 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/09

摘要： 本发明提供自发热发生受到抑制，并且不产生变形和龟裂等机械破损的热敏电阻薄膜的形成方法以及热敏电阻薄膜，并且提供机械强度和膜的均匀性优异，与此同时可以形成高精度图形，可以获得作为红外线检测传感器所必需的电气特性，作为使用过渡金属氧化物膜的红外线检测传感器用的最佳热敏电阻膜。该热敏电阻膜含有Mn3O4－Co3O4或Mn3O4－Co3O4－Fe2O3系复合金属氧化物，膜厚为0.05～0.2μm，包含纵横比超过0.5并低于2.0的晶粒占90％或90％以上的结晶。该形成方法采用在SiO2底层上溅射形成膜厚0.05～0.2μm的Mn3O4－Co3O4或Mn3O4－Co3O4－Fe2O3系复合金属氧化物膜后，在550℃～650℃的温度下，在大气气氛中或在氮和氧的混合气氛中进行热处理的方法。

公开(公告)号：CN1969345B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200580019513.6

申请日：2005-06-16

申请人： 三菱麻铁里亚尔株式会社

发明人： 石神俊一郎 ,  山口邦生 ,  四元孝二

IPC分类号： H01C7/04

CPC分类号： H01C17/06533 ,  G01J5/20 ,  H01C7/008 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/09

摘要： 本发明提供自发热发生受到抑制，并且不产生变形和龟裂等机械破损的热敏电阻薄膜的形成方法以及热敏电阻薄膜，并且提供机械强度和膜的均匀性优异，与此同时可以形成高精度图形，可以获得作为红外线检测传感器所必需的电气特性，作为使用过渡金属氧化物膜的红外线检测传感器用的最佳热敏电阻膜。该热敏电阻膜含有Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物，膜厚为0.05～0.2μm，包含纵横比超过0.5并低于2.0的晶粒占90％或90％以上的结晶。该形成方法采用在SiO2底层上溅射形成膜厚0.05～0.2μm的Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物膜后，在550℃～650℃的温度下，在大气气氛中或在氮和氧的混合气氛中进行热处理的方法。