热敏电阻薄膜及其形成方法

    公开(公告)号:CN1969345A

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN200580019513.6

    申请日:2005-06-16

    IPC分类号: H01C7/04

    摘要: 本发明提供自发热发生受到抑制,并且不产生变形和龟裂等机械破损的热敏电阻薄膜的形成方法以及热敏电阻薄膜,并且提供机械强度和膜的均匀性优异,与此同时可以形成高精度图形,可以获得作为红外线检测传感器所必需的电气特性,作为使用过渡金属氧化物膜的红外线检测传感器用的最佳热敏电阻膜。该热敏电阻膜含有Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物,膜厚为0.05~0.2μm,包含纵横比超过0.5并低于2.0的晶粒占90%或90%以上的结晶。该形成方法采用在SiO2底层上溅射形成膜厚0.05~0.2μm的Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物膜后,在550℃~650℃的温度下,在大气气氛中或在氮和氧的混合气氛中进行热处理的方法。

    热敏电阻薄膜及其形成方法

    公开(公告)号:CN1969345B

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN200580019513.6

    申请日:2005-06-16

    IPC分类号: H01C7/04

    摘要: 本发明提供自发热发生受到抑制,并且不产生变形和龟裂等机械破损的热敏电阻薄膜的形成方法以及热敏电阻薄膜,并且提供机械强度和膜的均匀性优异,与此同时可以形成高精度图形,可以获得作为红外线检测传感器所必需的电气特性,作为使用过渡金属氧化物膜的红外线检测传感器用的最佳热敏电阻膜。该热敏电阻膜含有Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物,膜厚为0.05~0.2μm,包含纵横比超过0.5并低于2.0的晶粒占90%或90%以上的结晶。该形成方法采用在SiO2底层上溅射形成膜厚0.05~0.2μm的Mn3O4-Co3O4或Mn3O4-Co3O4-Fe2O3系复合金属氧化物膜后,在550℃~650℃的温度下,在大气气氛中或在氮和氧的混合气氛中进行热处理的方法。

    复合元件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1985337B

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200580023139.7

    申请日:2005-03-29

    IPC分类号: H01C7/04 H01C13/02

    摘要: 通过单芯片化而整体小型化,减少安装面积,且不必选择电阻体或附加微调部地实现特性的线性化。在芯片状的热敏电阻坯体2纵向的一个端面上直接设置第1端子电极3,在另一端面上直接设置第3端子电极5,在顶面侧隔着绝缘层10设置第2端子电极4,在第2端子电极4附近设置电阻体层6,电阻体层6与第2端子电极4电气连接,电阻体层6与第1端子电极3电气连接。第1电极3用作输出端子电极,第2端子电极4用作接地端子电极,第3端子电极5用作输入端子电极,在输入端子电极4和接地端子电极5之间施加电压,测定输出端子电极3和接地端子电极5之间的电压,将输出电压换算成温度,从而检测出温度变化。

    复合元件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1985337A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200580023139.7

    申请日:2005-03-29

    IPC分类号: H01C7/04 H01C13/02

    摘要: 通过单芯片化而整体小型化,减少安装面积,且不必选择电阻体或附加微调部地实现特性的线性化。在芯片状的热敏电阻坯体2纵向的一个端面上直接设置第1端子电极3,在另一端面上直接设置第3端子电极5,在顶面侧隔着绝缘层10设置第2端子电极4,在第2端子电极4附近设置电阻体层6,电阻体层6与第2端子电极4电气连接,电阻体层6与第1端子电极3电气连接。第1电极3用作输出端子电极,第2端子电极4用作接地端子电极,第3端子电极5用作输入端子电极,在输入端子电极4和接地端子电极5之间施加电压,测定输出端子电极3和接地端子电极5之间的电压,将输出电压换算成温度,从而检测出温度变化。