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公开(公告)号:CN116013752A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202211738627.8
申请日:2022-12-31
申请人: 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
摘要: 本发明提供一种分体成型的等离子源腔体结构,其包括四个分体结构,四个分体结构为分子泵真空腔、离子源主腔体、分子泵法兰和内挡板,四个分体结构相互配合组合成一体化的等离子源腔体结构。分子泵真空腔用于连接离子源主腔体和分子泵法兰,分子泵真空腔用于安装分子泵,为离子源主腔体提供真空的环境。进一步地,分子泵真空腔内表面为圆柱形设计的腔体结构。本发明通过将结构复杂的离子源腔体分割为结构简单的四个分体,使得制造工艺的难度大幅降低。
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公开(公告)号:CN118398543A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202311851149.6
申请日:2023-12-29
申请人: 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号: H01L21/687 , H01J37/32 , H01J37/20
摘要: 本发明公开了一种用于低温离子注入的晶圆载盘,可应用于低温离子注入设备中。本发明的用于低温离子注入的晶圆载盘包括盘体、顶升台、传动杆、滑轮、卡爪、定位销和压簧。其中,晶圆载盘具有至少三个传动杆,各个传动杆以顶升台为中心呈辐射状设置,且任意相邻两个传动杆之间的夹角相等。本发明的用于低温离子注入的晶圆载盘,不仅能够稳定地固定低温晶圆,而且不会对低温晶圆的温度产生不利影响。
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公开(公告)号:CN115910734A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211738269.0
申请日:2022-12-31
申请人: 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/32
摘要: 本发明提供一种改善高能离子注入机的离子注入均匀性的方法,其包括以下步骤:步骤S1:调整气体流量和灯丝电流,使得气体流量和灯丝电流满足高能离子注入机的离子注入需求;步骤S2:设定合适的萃取电压,匹配聚焦电压不超过45kv;步骤S3:根据最终能量及萃取电压,设定加速电压;步骤S4:设定分析磁体电流,控制所需电荷/质量比的离子转弯通过;步骤S5:展开束流至可以覆盖300毫米硅片的高度;步骤S6:调整束流的大小,角度,均匀度并完成最后进行离子注入。本发明可以实现更好的均匀性;可以较为合理的设定其工作电压,避免负载过大。
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公开(公告)号:CN219979495U
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202223581909.X
申请日:2022-12-31
申请人: 北京凯世通半导体有限公司 , 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号: H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/317
摘要: 本实用新型提供一种分体成型的等离子源腔体结构,其包括四个分体结构,四个分体结构为分子泵真空腔、离子源主腔体、分子泵法兰和内挡板,四个分体结构相互配合组合成一体化的等离子源腔体结构;分子泵真空腔主体内表面为正圆柱体结构,主体外表面为多面体结构,其各个面体的边长相等,多面体结构的外表面起到加强固定的作用,主体外表面的柱形体上端平面上设置有圆锥形凸台,柱体一侧设有长方体空心槽,长方体空心槽内表面同为长方体,柱体下端平面上设置有两个凹槽,凹槽呈不规则形状,凹槽的轮廓与柱体、长方体空心槽下表面的轮廓重合。本实用新型通过将结构复杂的离子源腔体分割为结构简单的四个分体,使得制造工艺的难度大幅降低。
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