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公开(公告)号：CN107993924B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201711178203.X
申请日：2017-11-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 吴杰
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过曝光对光刻胶图形的尺寸进行预先定义；步骤二、进行光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时光刻胶预处理工艺使光刻胶图形的尺寸缩小，结合预先定义的尺寸和缩小的尺寸使得光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。本发明能实现去除光刻胶显影后的残留，从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留。
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公开(公告)号：CN107993924A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711178203.X
申请日：2017-11-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 吴杰
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种去除光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括如下：步骤一、在晶圆上形成光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形，通过曝光对光刻胶图形的尺寸进行预先定义；步骤二、进行光刻胶预处理工艺完全去除被显影的区域存在的光刻胶残留，同时光刻胶预处理工艺使光刻胶图形的尺寸缩小，结合预先定义的尺寸和缩小的尺寸使得光刻胶图形的最终尺寸达到目标尺寸。本发明能实现去除光刻胶显影后的残留，从而消除后续介质层刻蚀后的介质层残留。
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公开(公告)号：CN109065450A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810898935.4
申请日：2018-08-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明提供了一种去除光刻胶层的方法。包括：提供一除胶机台，所述除胶机台包括多个顺序排布的腔体；将形成有所述光刻胶层的半导体基底放置在所述除胶机台上，以去除所述光刻胶层；其中，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层的过程中，当半导体基底经过所述第一腔体时，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述半导体基底上的所述光刻胶层的加热强度；以及，当所述半导体基底经过所述第一腔体之后并依次通过其他腔体时，去除所述光刻胶层。本发明中的去除光刻胶层的方法，可以灵活调整对于光刻胶层的预加热强度，保证了最终形成的半导体集成电路的特性。
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公开(公告)号：CN107706076A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710702567.7
申请日：2017-08-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32477 , H01L27/14643
摘要： 本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si-O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si-O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
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公开(公告)号：CN109065450B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201810898935.4
申请日：2018-08-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/311
摘要： 本发明提供了一种去除光刻胶层的方法。包括：提供一除胶机台，所述除胶机台包括多个顺序排布的腔体；将形成有所述光刻胶层的半导体基底放置在所述除胶机台上，以去除所述光刻胶层；其中，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层的过程中，当半导体基底经过所述第一腔体时，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述半导体基底上的所述光刻胶层的加热强度；以及，当所述半导体基底经过所述第一腔体之后并依次通过其他腔体时，去除所述光刻胶层。本发明中的去除光刻胶层的方法，可以灵活调整对于光刻胶层的预加热强度，保证了最终形成的半导体集成电路的特性。
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公开(公告)号：CN107706076B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710702567.7
申请日：2017-08-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L27/146
摘要： 本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si‑O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si‑O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
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