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公开(公告)号：CN116110812A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111319327.1
申请日：2021-11-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3213
摘要： 本发明公开了一种金属刻蚀机台腔体预防性维护方法，在开腔前增加经过优化的燃烧清洁工艺，采取清洁/抽真空多步交替方式，将残留在静电吸盘表面的金属物质去除；在开腔预防性维护前可以明显改善静电吸盘表面金属颗粒残留现象，从而解决背氦异常导致的宕机问题，保证量产稳定性。
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公开(公告)号：CN105826182B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201610355204.6
申请日：2016-05-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层、化学气相淀积氮化物层、或者电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合；第二步骤：使用炉管的方法在所述处理层上生长氮化硅层；第三步骤：利用所述氮化硅层作为硬掩膜，刻蚀沟槽。
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公开(公告)号：CN106783705A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611076590.1
申请日：2016-11-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67745
摘要： 本发明公开了一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法，通过预判断晶圆对准缺口经过隔离阀位置传感器时四个可能的遮挡位置，在搬运控制器上进行初始角度、单次旋转角度以及旋转角度范围的设定，以避免晶圆对准缺口从该四个遮挡位置经过位置传感器而引起搬运控制器对晶圆圆心位置的误判，从而实现对晶圆传送位置的精确控制，达到使晶圆安置于静电吸附盘中心的目的，避免造成背面氦气流量异常引起的宕机以及晶边缺陷的产生。本发明方法实现方便，效果显著，可适用于工艺过程中对晶圆中心对准要求较高的制程。
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公开(公告)号：CN106373851A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610924726.3
申请日：2016-10-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32853 , H01J37/32862
摘要： 本发明提供了一种优化晶圆环状缺陷的方法，包括：第一步骤：对采用射频线圈环状结构的浅沟槽刻蚀腔体进行腔体真空保养；第二步骤：在第一真空压力下，使用第一气体高功率电浆对腔体侧壁进行反复清洗，使悬浮的水汽以及侧壁上残留的刻蚀聚合物剥离腔体；第三步骤：在第二真空压力下，使用第二气体高功率电浆对腔体上极板进行反复清洗，使上极板环状沟槽内悬浮的水汽以及上极板上残留的刻蚀聚合物剥离；其中，第二真空压力大于第一真空压力。
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公开(公告)号：CN106252253A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610790820.4
申请日：2016-08-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12
摘要： 本发明提供了一种测试有源区顶部圆滑度的方法，包括：测量浅沟槽隔离刻蚀完成后的有源区上部残留硬质掩模层的顶部线宽、硬质掩模层的残留厚度及硬质掩模层的倾斜角度，并计算出硬质掩模层底部线宽；测量浅沟槽隔离刻蚀完成后的有源区底部线宽、浅沟槽深度及有源区的倾斜角度，并计算出有源区顶部延伸长度；利用光学线宽测量仪测量并计算出有源区顶部延伸长度表征有源区顶部圆滑度；根据有源区顶部延伸长度定量调节后续浅沟槽刻蚀工艺参数。
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公开(公告)号：CN103681287B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310630338.0
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，所述方法包括：提供一用于进行多晶硅栅极刻蚀工艺的反应腔体和一需进行多晶硅栅极刻蚀工艺的半导体结构；在将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀前，于所述反应腔体的内壁表面沉积一硅氧化合物；将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺。采用本发明的技术方案可以根据沉积SiO2Cl4的时间定量地控制多晶硅栅极的关键尺寸，同时在多晶硅栅极的关键尺寸出现问题时，也可以快捷准确的找到问题的切入点，从而提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN104867815A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510213483.8
申请日：2015-04-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L21/02041 , B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种刻蚀反应腔体的清洁方法，包括反应腔体和进气单元；清洁方法包括：通入第一工艺气体冲洗进气单元，使进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落；接着通入第二工艺气体，使所述第二工艺气体的等离子体与剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应，以清洗反应腔体的内壁；然后通入第三工艺气体并增加所述第三工艺气体的压力，使所述第三工艺气体的等离子体与进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物反应，以清洗进气单元的内壁；最后增加第二工艺气体的压力，与进气单元内未剥落的第一副产物发生反应，以清洗所述进气单元的内壁。本发明能够有效减小进气单元残留物沉积掉落造成晶圆中心团聚缺陷的风险。
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公开(公告)号：CN102983096B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210501020.8
申请日：2012-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽，并进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；最后，根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。从而改变了以往只能粗略评估浅槽隔离顶部形貌的缺点，实现了精确控制在线制品的形貌和最终的电性，大大提高浅槽隔离开发效率和产品良率的方法。
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公开(公告)号：CN108010869B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201711167683.X
申请日：2017-11-21
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能的方法，利用光学线宽测量仪检测量化不同透光率下浅沟槽刻蚀的立体形貌参数特别是立体腰部形貌参数，从而根据浅沟槽刻蚀的立体形貌参数特别是立体腰部形貌参数来定义适合刻蚀菜单的透光率区间，以精确控制浅沟槽隔离的整体形貌和性能。本发明能够克服切片监控刻蚀后沟槽形貌的精确度低，周期长的缺点，并能克服扫描电子显微镜只能量测线宽，无法测量浅沟槽形貌的弊端，无法准确反馈浅沟槽形貌的实际信息的缺陷，能够提高浅槽隔离开发效率和产品良率。
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公开(公告)号：CN106783705B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611076590.1
申请日：2016-11-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种用于优化晶圆边缘缺陷的晶圆传送方法，通过预判断晶圆对准缺口经过隔离阀位置传感器时四个可能的遮挡位置，在搬运控制器上进行初始角度、单次旋转角度以及旋转角度范围的设定，以避免晶圆对准缺口从该四个遮挡位置经过位置传感器而引起搬运控制器对晶圆圆心位置的误判，从而实现对晶圆传送位置的精确控制，达到使晶圆安置于静电吸附盘中心的目的，避免造成背面氦气流量异常引起的宕机以及晶边缺陷的产生。本发明方法实现方便，效果显著，可适用于工艺过程中对晶圆中心对准要求较高的制程。
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