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公开(公告)号：CN107527783B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710430613.2
申请日：2017-06-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45563 , H01J37/321 , H01J37/32477 , H01J37/32522
摘要： 本发明提供一种能够谋求所期望的轻量化的加强构造体、具有那样的加强构造体的真空腔室和等离子体处理装置。一种加强构造体(4)，其为了加强用于对基板实施预定的处理的真空腔室的盖体而设置于盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，其中，加强构造体(4)具有：环状部(44)，其是梁构件(中央部(41a)、中央部(42a))呈环状形成于盖体的上表面(顶壁(3a)的上表面)的中央部而成的；放射状部(45)，其以多个梁构件(端部(41b)、端部(42b)、第3梁构件(43))从环状部(44)呈放射状延伸的方式形成。
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公开(公告)号：CN108884559A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680073063.7
申请日：2016-11-03
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： C23C4/134 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C18/1646 , C23C18/1689 , C23C18/31 , C23C18/48 , C25D3/02 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D17/00 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3476
摘要： 本公开内容的实施方式涉及用于在处理腔室中使用的改良的屏蔽物。在一个实施方式中，所述屏蔽物包括具有圆柱形状的中空主体和形成在主体的内表面上的涂覆层，所述圆柱形状大致上关于所述主体的中心轴对称。涂覆层由与在所述处理腔室中使用的溅射靶相同的材料形成。屏蔽物通过减少屏蔽物与溅射靶之间的发弧而有利地减少使用RF‑PVD沉积的膜中的颗粒污染物。发弧因屏蔽物的内表面上存在涂覆层而减少。
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公开(公告)号：CN108496246A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008002.7
申请日：2017-01-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32477 , B08B3/12 , H01J37/32091 , H01J37/32853 , H01L21/67126
摘要： 提供了狭缝阀门和清洁方法。狭缝阀包括：狭缝阀门，被配置为密封处理腔室的开口，狭缝阀门包含面向处理腔室的处理容积的表面；及非多孔阳极化涂层，在狭缝阀门的表面上。清洁方法包括以下步骤：将狭缝阀门浸入包含去离子水的槽中；在约6W/cm2至约15W/cm2的第一功率密度和约25kHz至约40kHz的频率下对狭缝阀门超声处理第一时间段；在约30W/cm2至约45W/cm2的第二功率密度和约25kHz至约40kHz的频率下对狭缝阀门超声处理第二时间段；及从槽移除狭缝阀门。
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公开(公告)号：CN108425090A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810274961.X
申请日：2012-08-09
申请人： 恩特格里斯公司
发明人： 尼雷须·困达
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/318 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C14/0021 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/32477 , Y10T428/265
摘要： 本发明涉及具有视需要氧化钇覆盖层的经AlON涂布的基质。具体讲，本发明公开一种位于陶瓷基质上的抗氟电浆涂层。在一个具体实例中，该组成物包括覆盖基质的约2微米厚的AlON涂层及视需要具有的覆盖该AlON涂层的约3微米厚的氧化钇涂层。
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公开(公告)号：CN104143494B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410190658.3
申请日：2014-05-07
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/0203 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6715 , H01L21/68735
摘要： 本发明涉及一种等离子体暴露面有原位形成保护层的等离子体处理室部件，具体而言，一种等离子体处理室的部件，所述部件在其等离子体暴露表面上具有液体保护层。所述液体保护层可以通过供应液体到液体通道并且经由所述部件中的液体供给通道输送所述液体来被补充。所述部件可以是边缘环，所述边缘环包围被支撑在所述等离子体处理设备中的衬底支架上的半导体衬底，其中等离子体产生并用于处理所述半导体衬底。可替代地，所述液体保护层可以被固化或充分冷却以形成固体保护层。
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公开(公告)号：CN105793467B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201480064902.X
申请日：2014-11-26
IPC分类号： C23C24/04 , C04B41/87 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C24/08 , B05D1/10 , B05D2202/00 , B05D2203/30 , C04B35/581 , C04B35/62222 , C04B35/6303 , C04B2235/5436 , C23C4/129 , C23C24/04 , C23F15/00 , H01J37/32477 , H01J2237/334
摘要： 一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的、且具有通过冲击烧结法而形成的包含粒径为1μm以下的微小粒子的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件，上述基材由金属或陶瓷构成，上述等离子体装置用部件的特征在于，上述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。根据上述构成，能够提供具有对等离子体攻击及自由基攻击具有强耐受性的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107710386A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680032137.2
申请日：2016-05-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L29/51 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/28176 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01L21/3105 , H01L29/517
摘要： 本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠度。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN107706076A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710702567.7
申请日：2017-08-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32477 , H01L27/14643
摘要： 本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si-O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si-O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。
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公开(公告)号：CN107527783A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710430613.2
申请日：2017-06-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45563 , H01J37/321 , H01J37/32477 , H01J37/32522 , H01J37/32458
摘要： 本发明提供一种能够谋求所期望的轻量化的加强构造体、具有那样的加强构造体的真空腔室和等离子体处理装置。一种加强构造体(4)，其为了加强用于对基板实施预定的处理的真空腔室的盖体而设置于盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，其中，加强构造体(4)具有：环状部(44)，其是梁构件(中央部(41a)、中央部(42a))呈环状形成于盖体的上表面(顶壁(3a)的上表面)的中央部而成的；放射状部(45)，其以多个梁构件(端部(41b)、端部(42b)、第3梁构件(43))从环状部(44)呈放射状延伸的方式形成。
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公开(公告)号：CN107393797A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710122891.1
申请日：2017-03-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4404 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32431 , H01J37/32807
摘要： 一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。
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