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公开(公告)号：CN104698747B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510144159.5
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及半导体工艺技术领域，本发明提供了一种提高二维图形解析度的工艺方法，采用了二次曝光的方式，对于最终设计图形中容易产生圆角以及缩短的区域，在第一次曝光时，将第一掩膜版的第一图形预先处理成向外延伸一定距离，在第二次曝光时，再涂覆上第二光刻胶层，将第二掩模版用于对预先延伸的区域遮挡，经过曝光蚀刻，使最终形成的图形与设计图形一致，避免图形产生拐角变圆以及线端缩短的现象，防止图形失真，提高二维图形的解析度。
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公开(公告)号：CN105468590B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201410273618.5
申请日：2014-06-18
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F16/532
摘要： 本发明提供一种提高图形搜索准确率的方法，包括：对一原始版图制定短边尺寸的选取标准；在所述版图中选取符合所述选取标准的目标图形；将所述目标图形中的短边进行去除，以形成一临时版图；定义需要搜索的特定图形的尺寸要求；在所述临时版图中，搜索所有满足所述尺寸要求的特定图形，并获得其所对应的坐标位置；在所述原始版图中，根据所述坐标位置找到对应的图形。本发明可实现以最简单的搜索规则找到所有满足尺寸要求的特定图形，不会因为产品版图中存在不可预期的短边而漏掉一些符合尺寸要求的特定图形，在很大的程度上提高了图形搜索的准确率。
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公开(公告)号：CN105468590A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410273618.5
申请日：2014-06-18
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/30
摘要： 本发明提供一种提高图形搜索准确率的方法，包括：对一原始版图制定短边尺寸的选取标准；在所述版图中选取符合所述选取标准的目标图形；将所述目标图形中的短边进行去除，以形成一临时版图；定义需要搜索的特定图形的尺寸要求；在所述临时版图中，搜索所有满足所述尺寸要求的特定图形，并获得其所对应的坐标位置；在所述原始版图中，根据所述坐标位置找到对应的图形。本发明可实现以最简单的搜索规则找到所有满足尺寸要求的特定图形，不会因为产品版图中存在不可预期的短边而漏掉一些符合尺寸要求的特定图形，在很大的程度上提高了图形搜索的准确率。
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公开(公告)号：CN104698747A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510144159.5
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及半导体工艺技术领域，本发明提供了一种提高二维图形解析度的工艺方法，采用了二次曝光的方式，对于最终设计图形中容易产生圆角以及缩短的区域，在第一次曝光时，将第一掩膜版的第一图形预先处理成向外延伸一定距离，在第二次曝光时，再涂覆上第二光刻胶层，将第二掩模版用于对预先延伸的区域遮挡，经过曝光蚀刻，使最终形成的图形与设计图形一致，避免图形产生拐角变圆以及线端缩短的现象，防止图形失真，提高二维图形的解析度。
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公开(公告)号：CN103645612A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310631490.0
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法，包括如下步骤：将设计目标图形数据转化为光刻目标图形；对光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟;对光刻目标图形进行第一次工艺热点检测；若第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点，则对各潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟；根据第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测；其中，检测区域与潜在工艺热点一一对应，并根据潜在工艺热点的位置而生成。该方法可缩短光刻工艺中版图设计友善性检测的耗时，实现对工艺热点的快速准确的查找，并减少软件和硬件的使用成本。
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公开(公告)号：CN103645612B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310631490.0
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法，包括如下步骤：将设计目标图形数据转化为光刻目标图形；对光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟;对光刻目标图形进行第一次工艺热点检测；若第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点，则对各潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟；根据第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测；其中，检测区域与潜在工艺热点一一对应，并根据潜在工艺热点的位置而生成。该方法可缩短光刻工艺中版图设计友善性检测的耗时，实现对工艺热点的快速准确的查找，并减少软件和硬件的使用成本。
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